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A．007
taC：N膜特殊光电导行为的研究
刘糠’，王厂甫6．汪正诗”
“北摹师范走学他堂学院，北京，100875
Emad些』堂g!虹业垫幽
5北宣师蔗K学井祈剧州十k北京．100875)
taC：N膜的电学性质虽然得到广泛的研究，但是由干制售条件和研究方，}的不同结论并不一致“。1．我
0
们曾经报道过谊膜在弱的光艇下(5 aC：N膜在
0pW／cm’)印有明显的光电导响应并且发现了N台量5at％曲t
光照下电阻反而增大这一特殊的光电导现象“1。
表1光照x：[taC：N膜电阻草的影响
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Dark 3,671017838 5s26364l03 2759 12406 13985 28708
resistivi旷(Ohmcm)
ll 64 60
697 24 6 1565 26I8 39 2233 1222650
LIghtedresistivityfOhmt：m1
’Everyreported valuewastheofatleast20timesme鹳u陀mcntsmadeat ofthe
resistivity average diffcmntpositions
filmsinbothdirectionofculTcnt
S
根据文献…采用的方法．对具有不同氰舍量的taC：N膜的clXFS谱的解析结果如嘲1所示，氯含量低时，
氪原子在膜中更接近于杂碌子在半导体中的掺杂行为。在Splc酌四面体结构中氪琢子有四个电子与周围c
成键．另一个电子将以游离电子的状态在膜中自由移动，这种彤式敌称作旷搏挚构型；或者N朦子也可能取
代石星型六元环中的一个sp。c原子，除了三个a电子和一个Ⅱ电子外，另一^_：ifⅡ‘上的电子依然可以游离
状态在膜内自由活砧．这种形式被称作n掺杂绚型．
有文献报导”’，taC：N膜中存在一种类似于毗啶的环状结构，它的电子能缎上克满了电子，此时的N已经
没有多余的单个自由电子可以游离干膜内，田此这种结构是一种非掺杂的拘型．
文献【8】中列出了掺氟的碳膜中几种可能的构型及它们的电子能级田(固2)，从中可以很清楚地看到矿
掺杂、矿掺杂以及非掺杂构型中N的电子在能缓上分布的不同．
at％
C=N结梅不仅仅可以代表矿掺杂构型，同时也可能是粪毗啶结构的非掺杂构型．在膜内N难度从8
7
增加到1 at％的过程中。膜内发生着r掺杂构型
向类毗啶结构的非掺杂构型的转变，N辣子数量
增多了，而其能够影响到的sp7c原子却减少T
从而使得sp2c州键型的含量基本不变．当腓大干
17＆t％以后 此时的峰N主要是阻类毗啶的非掺
杂构型存在的，田1显示氪原子在膜中将更多地
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