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A.027
室温离子液体中Bi在Au(1“)电极上欠电位沉积的ECSTM研究
傅艰春.苏育专,荫佳伟,毛隶伟。
B·是一种具有重要压用背景的金属,例如,电极袁面修饰一层欠电位沉积的B-可以显著提高对
氧还原的电催化性能,在燃科电池中具有潜在的应用价值.水落最中,随着电位的降低,Bi在Au(111)
表面依次形成(2×2)和fx也)的欠电位沉积层结构”“。以往对欠电位沉积的研究大多在水溶
P
琏中进行,而落剂化效应对欠电位沅积过程宥着显著影响”J,室温离子液体作为一种新型的非水洛
剂,具有电化学窗口宽,导电性好,不挥发等优点,在电化学141和其它体系中得到广泛的应用,受
到人们越末越多的重悦.特别是其蒸汽压低的特点。使离子液体成为除水藩液外难得的适合现场STM
齿状”最链结构的BiUPD层这种B1在离子液体中的沉积行为与Bl在木溶液中的沉积行为有着明显的
不同,表明吝荆对Bi的电沉积过程有着深刘的影响,
围l Ol
Au(111)在舍有0MBiCIJ的BMIBF4中的话环
伏安目.扫描速度:0.01V/s.
voltammogramofAu(1111inBM[BEI
FlgICyclic containing
001M OIV/s
BiCt+S…tc。0
黧纛举,,。i堪霾 藤瓣
和(e)发生还厚后BiUPD层的STM圈.(f)c中吸附结构婶模型图
In-silu$TM BiUPD
Fig.2 h抽£器of(a)bareA“llI)surface.(b≈)adr.orbdlBiCl,and(讨thc
layerOn 0IM
AIl(…1)洫BMIB^containin90BiCl3《DAp呷osedstracaaalmodelfor(讨
A.027
图l为Au(111)电极在含0.01
位沉积峰,D4为过电位沉积峰;Al-A5为对应于欠电位沉积的溶出峰,A6为对应于过电位沉积的溶
出峰. /
表面发生吸附形成亚单层的规则有序排列,如图2b所示.图2c为BiCl3吸附结构的原子分辨STM图像。
从图中可以看出,每六个或三个BiCl3分子聚集分别形成六元环团簇和三角形团簇。每个六元环团簇
被六个三角形团簇包围。最近两个六元环团簇中心点间的距离为2.90rim;六元环团簇(或三角形团簇)
×10)的结构。当电位负移到.0.45
V时,BiCl3分子发生部分电还原,规则有序排列的团簇结构被破
坏,形成大部分为三角形团簇的无序结构。当电位负移到.0.6V时,BiCl3还原后形成的BiUPD层结
构如图2e所示.六个Bi原子聚集形成三角形团簇,这些三角形团簇整齐排列形成互补的双链结构.
三角形团簇内顶点Bi原子间的距离为o.86nlrl,团簇间顶点Bi原子间的距离为1.33roll。当电位进一步
负移到.0.7V时,则发生过电位沉积。
以上实验表明,Bi在离子液体中的欠电位沉积过程与其在水溶液中的欠电位沉积过程明显不同,
这种BiCl3分子和Bi原子聚集形成的团簇结构在水溶液体系中未见报道,表明Bi在电极表面放电前
后与离子液体的相互作用可能有着与水分子不同的作用程度和形式。
’本研究为国家自然科学基金20433040,)资助项目
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