电子束熔炼时间对多晶硅杂质去除效果研究.pdfVIP

张孳港2009．Io．23-26第三届中国储能与动力电池厦其关键材料学术研讨与技术交流奇 电子束熔炼时间对多晶硅杂质去除效果研究+ 谭毅，姜大川、徐云飞、董伟、王强，彭旭 大连理工太学材料学院，太连，116023 摘要：采月电}柬镕m#98蹴的T_p＆进行提纯．*究自}束镕自0∞皇*对各种杂质Ⅱ《的女豫m}， 月时H析镕悱￡；tⅢⅡ素在砖愤f的H布状志．宴＆结果表明．电子m熔炼对《中的}要杂质部育一定的击 睬教果．对P，Ca，At效果垃☆目8．镕镕d目越收敛*越”． 关键词t电子束熔炼c太m能级#；杂质 1、介绍 目前^阳能缵多晶硅的制鲁仍U改良西门于和硅烷注为主要的制备技术，担其存在能耗 高、污染重等问题．新技展起来的冶金法是种能耗低、污染小的太阳能级多晶硅的制各T 艺．该方法虽然产品质晕不如改良西门予洼以及酵烷注，但足以满足太田能级多晶酵的要求【“。 存冶盘注制备太阳能级多晶硅的过程中金属元票可以垣过多饮定向凝固去除，但对非金属元 紊P无注有效土除，本文采用自行设订的电于束熔炼炉对上业硅进行提纯。探讨电子柬熔炼 列硅中杂质的上除效果。 2、实验方法 在进行实验之前粟用丙酮清洗实验用坩埚．然后用硅料进行熔炼清洗后进行宴验．实验的参 数如表1所示。表J电子束熔炼试粤盆参数 熔炼时问TI(T2I3 熔炼功事(KW) 30kw 3 熔炼窜真卒度(Pa) 3-5×10 电于枪真空度(Pa) 1．3×100 实验完成后待硅料在坩埚中完全冷却后，打开设备开启门，取出宴验后硅链，其外观照 H如图I所示。图I中左图为电亍束熔炼后表面，右图为电予束熔炼底部。 9口 囝I电子柬熔炼后硅锭照片 3、实验结果及讨论 *#-寅§{1Ⅱ-教授，{·要M事}＆n提＆方面*R，F，mail…Ⅵ104holmail∞m 张家港2009．10．23．26第三届中国储能与动力电池及其关键材料学术研讨与技术交流会 采用相同的熔炼功率，不同的熔炼时间对硅料进行熔炼，研究熔炼时间对杂质元素去 除效果的影响。实验过程中分别采用熔炼时间为Tl、12、B，通过观察窗看到硅料全部融化 时开始计时。对实验结果进行检测分析，结果如图2所示。 —l_udA一-c由#，8一L一芒∞∈里口x芒：△cJl ^EAe芒霉coo一乏llcmEo每扫c3aE— a)熔炼时间对AI、Ca影响 b)熔炼时间对P影响 图2熔炼时间对杂质去除效果的影响 图2(a)为杂质元素AI、Ca随时间变化的影响，由图中可以看出随熔炼时间的增加，去除 效果越好。图2(b)为杂质元素P随熔炼时间的变化规律，由图中可以看出P含量随熔炼时间 10-3 的增加几乎呈线性减少。以A1为例，蒸发速度：吼，=4．37xx巴， 式中只，为熔硅中磷的偏压，由于Si中AI的含量很低，可以近似认为是无限稀溶液，在 其蒸发过程满足亨利定律，可以得到其蒸发率与温度的关系翻， c_．o。t=4．37x10-3×已悸bq 其中口为凝聚系数，y。活度系数，C为其组元的浓度，对于硅中杂质AI无限稀溶液凝 聚系数口通常取1，y。是关于温度T的函数，lgy；，(，)螂=一丁1570+o．236。带入可得硅的 蒸发速度。可见在温