含Sc2O3和SrO浸渍钡钨阴极电子发射性能的研究.pdfVIP

含Sc203和SrO浸渍钡钨阴极电子发射性能的研究 郑强1 阴生毅1 彭真2 王欣欣1 李阳1 王宇1 1．中国科学院电子学研究所 中国科学院高功率微波源与技术重点实验室北京100190 2．中国科学院大学北京100039 摘要：针对毫米波和太赫兹器件对于大电流密度阴极的要求，利用常规工艺制备了含Sc203和SrO的浸 渍钡钨阴极。电子发射测试结果表明，该阴极具有优异的电子发射性能，在1100。C的发射电流密度达 也具有电子发射能力，具体的发射机理有待进一步研究。此外，阴极表面成分和形貌分析结果表明，该 类型的阴极存在孔内和孔端共发射。优异的电子发射能力和简单的制备工艺使含Sc203和SrO的浸渍钡 钨阴极很有可能成为新型真空电子器件的候选阴极之一。 关键词：Sc203；SrO；铝酸盐；钡钨阴极；电子发射 1．引言 目前常规微波真空电子器件中的电子源广泛采用的是M型浸渍扩散阴极。这种类型的阴极能在 ～20A／cm2的电流密度下维持很长的寿命。然而，随着毫米波器件和太赫兹器件在功率和频率上的不断 增加，要求实际阴极的发射电流密度值要达到100A／era2以上【lJ。要想获得这样大的发射电流密度，M 型阴极需工作温度在1200。C以上，但是这已经不再符合阴极长寿命的要求。目前，钪酸盐阴极的发射 电流密度已经具有低温大电流密度的特点。例如：LAD顶层钪酸盐阴极的发射电流密度在943℃时达 到了400A／cm2121，但是这类阴极的制备工艺往往相对复杂，并且工艺重复性差，很难达到实用化的要 求。目前在常规微波管中达到实用化的主要是浸渍钪酸盐阴极，这类阴极的脉冲发射电流密度在 由此可见，如何利用现有制备工艺制备出具有高发射的阴极已经成为阴极工作者的一个重要研究方向。 本实验制各了含Sc203和SrO的铝酸盐浸渍钡钨阴极，在优化了各种成分比例的基础上制备出了具 有高发射性能的浸渍式钡钨阴极，本文对这类阴极的电子发射特性进行TN试，并进行了分析和讨论。 2．实验 含Sc203和SrO的浸渍钡钨阴极的制备过程如下：将高纯度的S酊03置于氢炉中充分烧结得到SrO， 研磨混合物后即获得含Sc203和SrO的铝酸盐。然后在氢气气氛中浸渍孔度在20～25％的钨海绵饼，除 去钨饼上残留的物。最后，加工成表面直径为1．55rnm的钼筒支撑式阴极。 阴极的电子发射特性测试在密闭的水冷钨阳极二极管中进行，测试前将阴极在1150C激活l小时， PV-11型 测试的真空度5xlO击Pa，测试时阴阳极之间距离调整为0．2mm。阴极表面的温度采用KeNer 光学温度计测量。测试过程分直流测试和高压脉冲测试，测试数据由计算机自动记录。阴极的蒸发测试 的过程详见文献【4】。表面形貌和成分利用VEGATESCAN型扫描电子显微镜及其附件进行分析和测量。 3．结果与讨论 电压的变化关系∞y曲线)。测试的条件为：重复频率20Hz，脉冲宽度5∥S。由图1可以看出，各个温 度的■y曲线在外加电压达到3000V时仍处在空间电荷限制区域，并没有完全达到饱和状态，并呈现出 类似于钪酸盐阴极的非正常肖特基效应15J。阴极在1100℃时的发射电流密度达到了接近280A／cm2的水 平，这一数值是传统含钪阴极的两倍。值得注意的是，测试得到的／-V曲线斜率在高于900℃时，先升 高然后变低，而低于900℃时，先变低然后升高。这样的类似的现象同样也出现在钪酸盐阴极中【5J。至 于这种特殊的发射机制需要进一步的深入研究。此外，含Sc203和SrO的浸渍钡钨阴极在600℃时，仍 能产生0．8A／cm2的发射电流密度，这也说明了这种阴极具有很强的电子发射能力。 协O ， O 一．5、《一x￡∞coQ 1 lu∞JJ30 ， n