掺磷氢化硅低温微晶化研究.pdfVIP

维普资讯 第 12卷 第 9期 半 导 体 学 报 v ．I2．N o．9 i991年 9 月 CH 1NESE JOORNAL OF SEM 1CONDUeTORS Sept．， I991 掺磷氢化硅低温微晶化的研究 耿新华 孟志国 陆靖谷 孙钟林 僚温元 (南开^学 电子科学系，天津，300071) 1990年 9月 24日收到，同年 12且3i日任改定稿 我们用辉光放电法在较低的衬底温度下 (9o℃)获得了掺磷敲晶化硅 (n-~eC-s1)．井对 赧 晶化与工艺条件之间的关系进行了详细的研究，在 I50℃衬底温度，2％掺杂时获得了电导 聿近 30(acre)一，电导激活能近似为零的散晶化材料．对敲晶化材料的结构进行了小 角度x 光衍射，拉曼散射谱的分析 ，井用扫描电镜观察了形貌．这种材料的晶粒较小而且结构均匀． 又由于生长温