MOCVD生长GaN基蓝光外延LED材料的研究.pdfVIP

第九届金田LED产业研讨与学术会议论文秦 曹喜平 刘华明 熊江玲 陈 森 蒋坤荣 江西联创光电科技股份有限套司 摘要：利用CCS—MOCVD系统在不同条件下生长了两样品,InGaN／GaN MQW蓝LLED外延_片， 并对两样品从外延片至制成的LED管芯及封装成器件作了测试和分析，发现样品B的性能(正向电 压、光强、反向漏电流、波长均匀性、FWHM等)好于样品A。 关键词：MOCVD；InGaN；LED 一、引言 谱的范围。GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，对GaN材料的研究与应用是当今全球半导体研 的高熔点材料，也是直接跃迁的宽带隙半导体材料，不仅具有良好的物理和化学性质，而且具有电子饱和速 率高、热导率好、禁带宽度大和介电常数小等特点和强的抗辐照能力，可用来制备稳定性能好、寿命长、耐腐 蚀和耐高温的大功率器件，目前广泛应用于光电子、蓝光LED、紫光探测器、高温大功率器件和高频微波器件 等光电器件。 制备高质量的GaN基材料和薄膜单晶材料，是研制和