Si衬底上MOCVD生长GaN的研究.pdfVIP

2∞●●8月¨ ，卜卜置嘱●?■化●—■■●咋‘捌_鼻，—‘■灌—q■鼻¨■—峥毒—H臣 ，E，『九_●}■■——●—‘●一■‘●峨 Si衬底上MOCVD生长GaN的研究 唐海平，叶志镇。，朱丽萍，赵炳辉，洪炜，倪贤锋，赵浙 (浙江大学硅材料国家重点实验室，310027) 摘要 运用高温AIN缓冲屡在Si(111)衬底上得到了高度取向的纤锌矿结构CaN。SEM测试微裂纹密度较低 (O002)面处于双轴张应力状态。 关健词：金属有机物化学气相淀积氮化镓外延生长 1 引言 金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统制备。这些衬底材辩有诸多缺点，如蓝宝石由于绝缘使 制作发光二极管的工艺复杂化，而SiC价格很高。同时，这些衬底和GaN都有很大的晶格失配和热 失配【3】。si片是较为理想的衬底，因为它具有质量高，尺寸大，成本低等许多优点。另外CaN外 延在Si上，极有可能将氮化镓基的器件集成到硅基大规模集成电路之中。然而，Si衬底也和GaN 存在很大的晶格失配和热失配。为了在Si衬底上获得高质量的氮化物外延层，大多采用两