采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究论文.pdfVIP

}十五詹全国1匕古物半导体．微波器件和光电嚣件掌术会议 广州’08 WED—GaN-F06 采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究 宋黎红，谢自力，张荣，刘斌，李弋，傅德颐，张曾，崔影超， 修向前，韩平，施毅， 郑有蚪 (南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京210093) 摘要：利用高分辨x射线{}：『射方法，分析了在LiAl02(100)面上采用金属有机物化学汽相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和 位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等，号法研究了晶面倾转角，面内扭转角，横向和垂直关联长度等，由此得到螺位错和刃 位错密度。考虑到m面GaN的各向异性。我们将(0001)晶向定义为0度方向，与之垂直的办向为90度方向，分别按0度和 90度两个不同方向进行x射线衍射的研究。0度方向和90度方向螺佗错密度分别为1．97x10mcm-2，7．193×109cnl-2，0度方向 方向位错密度的差异显示了非极性GaN薄膜各向异性的特征。 关键词：GaN，位错，x