多量子阱激光器和调制器有源区对接外延生长的研究论文.pdfVIP

多量子阱激光器和调制器有源区 对接外延生长的研究 胡小华，朱洪亮，王圩。王宝军 (中国科学院半导体研究所。光电子嗣家工艺中心，北京100083) 擅要t本文提出了一种改善集成器件中各部分之问耦合教率的新结构，通过s删照片艘黎多种慵况 下的外延形貌，研究了不同的刻蚀方法和工艺步骤对对接外延质量的影响．实验结果表明，采用非选 择生长同时外延激光器和调制器上波导层以及两者之间的对接波导的方法，可以获得很好的生长界面， 有助于提商多量子阱波导对接的耦合效率。 关键词：匿ii豆萤搬光器．电吸收调制器，多量子阱波导，Butt—J。int、、 L 一、引言 近年来，作为长距离光通信系统中的关键元件之一，电吸收调制(EA)分部反馈 (DFB)半导体激光器(EML)【1．21成为研究的热点，这是由于该器件具有很多的优点， 如驱动电压小、尺寸小、易于集成，而且不需要考虑偏振的灵敏性。目前实现激光器和 法具有外延次数少，激光器和调制器之间的耦含效率高的优点，但是却不能分别优化设 计，难以同时实现高功率和高消光比。对接生长技术虽然需要较多的外延次数，但是可 以分别对激光器