水平热壁式CVD+SiC外延均匀性研究论文.pdfVIP

下载本文档

14
0
约6.13千字
约 4页
2017-08-31 发布于安徽
举报
版权申诉

水平热壁式CVD+SiC外延均匀性研究论文.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

，F-t-五屠全国化合物半导体．微波■l件和光电器件掌术会议广州’08 P070 Si 水平热壁式CVDC外延均匀性研究李哲洋，李赞，董逊，柏松，陈刚，陈辰 (单』I-集成电路和模块国家级莺点实验室，中国科技集团公司第五十五研究所，南京210016) 摘要：研究了水平热壁式CVD(Hot—WallCVD)4H．SiC同质外延生长，通过优化载气氢气的流量获得低于1％(最好值为O．09％) 的外延厚度均匀性(o／m)，碳硅比(C／Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响，通过优化C／Si比。获得低于7％(最好值为4．37％)的载流子浓度均匀性。但当C／Si比大于1．9时，外延片表面形貌会出现退化。关键词：48一SiC，水平热壁式CVD，C／Si，均匀性中图分类号：TN386 文献标识码：A 文章编号： i i i i i taxi I Unform nvesti onofSi C a ty gat ep growthby hoti zontal Hot-Wa||CVD Chen ZheyangLi，YunLi，XunDong，SongBai，GangChen，Chen (National ofMonolithic Circuitsand ElectronicDevices KeyLaboratory Integrated Modules，Nanjing Institute， Nanjing210016，China) has in CVD flowrateof Abstract：4H·SiC bccn ahorizontalHot—Wall epitaxialgrowthprocess investigated system．Byoptimizing theC／Siratio carrier lowo／mvalueslessthan1％inthickness Was which hydrogengas．a uniformityobtained．Byoptimizing strongly the ofsurface influencesthe concentration，a of4．37％Wasobtained．Howeverdegradation doping gooddopinguniformity morphology Was when ratioiS observedC／Si above1．9． words：4H-SiC，horizontalhot-wallCVD，C／Si Key ratio，uniformity EEACC：2520M：2560P；2560R 实验在EPIGRESS公司生产的带有 1引言 VP50