退火及铟含量对InGaAs量子点光学特性影响.pdfVIP

　第 11 卷　第 4 期 强 激 光 与 粒 子 束 . 11, . 4　 V o l N o 　1999 年 8 月 H IGH POW ER LA SER AND PA R T ICL E BEAM S A ug. , 1999　 ( ) 文章编号: 　1001—4322 1999 04—0433—06 退火及铟含量对 InGaA s 量子点 光学特性的影响 赵　震 (俄罗斯科学院 . . 物理技术研究所, 26, 圣彼得堡 俄罗斯 194021) A F L offe Po lytekhnicheskaya ( 　　摘　要: 　研究了退火条件和 In 组份对分子束外延生长的 InGaA s 量子点 分别以 GaA s ) 或A lGaA s 为基体 光学特性的影响。表明: 量子点中 In 含量的增加将导致载流子的定域能增 加和基态与激发态之间的能量间隔增大。采用垂直耦合的量子点及宽能带的A lGaA s 基体可 ( ) 增强材料的热稳定性。以A lGaA s 为基体的 InGaA s 量子点, 高温后退火工艺 T = 830 ℃ 可改 善低温生长的A lGaA s 层的质量, 从而改善量子点激光器材料的质量。 　　关键词: 　量子点; 　后退火工艺; 　光致荧光; 　注入式半导体激光器 　　中图分类号: 　 244　　　　文献标识码: 　 TN A 　　近来, 在半导体物理中, 对以A lGaA s 为基体规则排列的 InGaA s 量子点结构的制备和特 性研究越发得到重视[ 1, 2 ]。其中研究得最为充分的是利用沉积表面晶格常数的失配导致应力层 外形自发变化而形成量子点的方法。人们的兴趣不但表现在涉及量子效应的物理性质的基础 [ 2, 3 ] [ 4 ] 研究上, 而且表现在实际的应用中 。现今 量子点激光器已经问世 , 它具 InGaA s A lGaA s [ 5 ] 有高的温度稳定性, 低的阈值电流密度 , 已超过了量子阱激光器的理论极限。 [ 1, 2 ] ( 　　正如在一系列工作中 所表明的: 只有在一定的分子束外延生长条件下 例如, A s 和 Ga