第4章半导体中载流子的统计分布.docVIP

第4章 半导体中载流子的统计分布 在一定温度下，并且没有其它外界作用时，半导体的自由电子和自由空穴是依靠电子的热激发作用而产生的。一方面对于理想半导体材料，电子从价带跃迁到导带。对于掺杂半导体，从价带跃迁到导带外，还有电子从施主能级跃迁到导带，电子从价带跃迁到受主能级。电离能。同时，电子从高的能量状态跃迁到低的能量状态，并向晶格放出一定的能量，使导带中的电子和价带中的空穴不断减少。成为载流子的复合。在一定温度下，这两个相反的过程达到动态平衡，成为热平衡状态。半导体中的自由电子和空穴的浓度保持一个稳定值。实际上半导体的导电状态强烈的依赖于温度的变化。要深入了解半导体的导电性及其它许多性能，必须知道半导体中载流子浓度分布以及随温度的变化规律。 第一：允许的量子态按能量如何分布；第二：电子在允许的量子态中的分布几率。 k空间中量子态的分布： Z和E的关系 g（E）=dZ/dE；g（E）：状态密度，在能带中能量为E附近每单位能量间隔内的量子态数。 k空间中，波矢k不能取任意值，k的允许值为： kx = nx/L （nx=0，±1，±2,…）ky= ny/L ；kz= nz/L L3 = V: 晶体体积; 任一个代表点,沿三条坐标方向均为1/L的整数倍, 所以代表点在k空间是均匀分布的,每个代表点均和体积为1/V的立方体相连系, 也就是,在k空间中,体积为1/V