CdTe太阳电池组件关键技术的研究.pdfVIP

中国科学 E 辑: 技术科学 2007 年 第37 卷 第7 期: 875~880 《中国科学》杂志社 SCIENCE IN CHINA PRESS CdTe 太阳电池组件的关键技术研究 * 李 卫 冯良桓 张静全 武莉莉 蔡亚平 郑家贵 蔡 伟 黎 兵 雷 智 ( 四川大学材料科学与工程学院, 成都 610064) 摘要 采用化学水浴法沉积CdTe 太阳电池的n 型窗口层CdS 多晶薄膜, 用近 空间升华法制备吸收层CdTe 薄膜. 为了获得优质的背接触, 对退火后的CdTe 薄 膜用湿化学法腐蚀一富Te 层, 然后沉积背接触层. 结果表明：具有ZnTe/ZnTe: Cu 复合层的太阳电池性能优于其他背接触结构的电池. 最后, 采用激光刻蚀和机械 : 刻蚀相结合, 制备了 glass/SnO2 F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe:Cu/Ni 太阳电池小组件, 其中一个CdTe 太阳电池小组件的效率达到了7.03% (开路电压V = 718.1 mV, 短 oc 2 路电流Isc = 98.49 mA, 填充因子53.68%, 面积54 cm ) ( 由中国科学院太阳光伏发 电系统和风力发电系统质量检测中心测量). 关键词 CdTe 太阳电池组件 C- V 特性曲线 由于薄膜太阳电池技术适合制作太阳电池组件, 因此国外许多研究小组或公司都在从事 CdTe 组件的研发, 并获得了 6%~11% 的光电转换效率[1~4]. CdTe 组件性能的提高受到许多因素 的影响, 如各个半导体层沉积方法, 组件的结构等. 举例来说, ANTEC 在制作 CdTe 组件时, 采 用需要高温过程的近空间升华法沉积 CdS 薄膜, 通常制备 CdS 薄膜最适宜的方法是化学水浴 法, 因为它是一个低温过程, 厚度容易控制, 反应液也易回收再利用[5]. 同样, 虽然Bp Solar 获 得了较高效率的组件, 但半导体层 CdTe 薄膜的制备采用电沉积法, 众所周知, 电沉积法制备 的 CdTe 薄膜晶粒细小, 并且透明导电膜常影响化学计量比. 在通常的 CdTe 组件制备工艺中, CdTe 薄膜退火后进行激光刻划, 接着溅射金属背电极. 实际上, 高效率的 CdTe 太阳电池都先 : 作背接触层, 随后再沉积金属作背电极[6~8]. 这是因为金属 采用掺杂的石墨、ZnTe Cu 或 NiTe2 直接和 CdTe 薄膜接触形成的 Schottky 势结与 n-CdS/p-CdTe 结反向, 会产生比较大的接触电 阻[9~12], 然而, 又不能直接对 CdTe 薄膜进行重掺杂实现隧道输运来解决此问题[11,12]. [13] 在薄膜光伏技术中, 要从单个电池制备转到集成组件的制备, 刻蚀是一个重要的方面 . 刻蚀可采用 3 种方法：照相平板印刷术、机械刻蚀、激光刻蚀. 照相平板印刷术由于速度和环 境污染的问题已经被淘汰. 机械刻蚀虽然也有不