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SARAD 半导体产品 深层离子注入型硅探测器 SARAD 从 1994 年就开始制造用于α/ β能谱仪的深层离子注入型硅探测器 ，至今这些 探测器已经经历了数千次的应用验证。包括α、β能谱分析以及计数、核素识别、以及环境 辐射监测等众多场合均得到应用并且都获得了精确的测量结果。 主要特点包括：  卓越的能谱分辨率（特别是低偏压情况下 ，对α粒子FWHM 最低可达 15keV ）  低本底  10V 偏压即可在耗尽层沉积α粒子所有能量（最大 10MeV ）  设计坚固耐用  耗尽层厚度最高可达 500μm ，可测量β粒子 探测原理： 1、粒子的收集 α、β粒子在进入耗尽层后会在周围产生电 离 ，电离产生的电子、空穴对在电场的作用下向 两极移动。入射粒子能量越高，就会产生越多的 电子、空穴对，从而在输出回路中产生更高幅度 的脉冲信号 ，进而能对入射粒子能量进行测量。 电离产生的电子、空穴对的数量与入射粒子 能量是成正比例关系的 ： N=E/ε 其中 N 为电离离子对数，E 为入射粒子能量，ε 为最低电离能。对于硅（Si ），电离产 生一对电子、空穴对所需能量为 3.62eV （300K ）。这样由通过测量产生的脉冲就能获知入 射粒子的能量。与气体电离室相比，由于产生的电离离子对数高，电离粒子数的统计涨落相 对下降，因而有更高的能量分辨率。 2、耗尽层厚度 半导体的 PN 结在漂移运动和扩散作用的双重影响下会形成一个载流子数量非常少的 一个高电阻区域，耗尽层。耗尽层是半导体探测器的灵敏区，耗尽层的厚度决定了半导体探 测器能否完全沉积入射粒子能量 ，对于硅半导体，完全沉积α粒子通常只需 100μm 的耗尽 层，完成沉积β粒子通常则需要 500μm 的耗尽层。 耗尽层厚度由半导体材料的电阻率和外加反向偏压决定的。半导体的电阻率是由半导体 材料本身的性质决定，提高半导体材料如硅的纯度有助于提高电阻率。 ρ Ω ⋅ w(µm) 0.536 ( cm) U(V) n 其中 w 是耗尽层厚度， 为电阻率，U 为反向偏压。 对于一个已经确定的半导体，通过增大反向偏压能增大耗尽层厚度，但是增大偏压同时 也会增大也会增大反向电流，增大噪声，并且电压过高还可能导致半导体击穿。 3、理想和实际能谱 α衰变发射的α粒子在产生时是单能 的，这是由原子核内部能级所决定的，原 子核只能处在几个固定分立的能级上。因 此完全理想的状况下，探测器应该测量到 的是一个无限细的一个单能脉冲信号。 单能的α粒子在产生后，会与周围物质 发生作用，形成能量损失，因而粒子在进 入探测器耗尽层时，能量往往已经有了损 失。但是由于不同粒子入射角度不同，通 过的距离不同，另外加上粒子与物质发生 作用有概率性和随机性的特点 ，有的粒子 损失能量多，有的粒子损失能量少甚至未 损失，出现能量歧离，因而这些粒子进入 探测器耗尽层时所释放的能量也有所不 同。 另外探测器内部是存在噪声的 ，这些噪声包括电子学系统噪声和探测器噪声。这些随机 噪声使得信号会出现一定的涨落。最终测量到的能谱，就是一个被展宽的谱线。 图 1 通过不同厚度物质的α粒子能谱 4、提高能量分辨率 鉴于α、β粒子在穿过空气等介质中会损失能量，导致能量歧离，能峰展宽。为了改善 测量效果，在条件允许的情况下，可以采取以下措施以提高能量分辨率：  在真空环境测量  使用准直器，但是会减少入射粒子数  降低环境温度，低温下探头噪声会更低  使用更薄保护层的探头，但此时探头应能避免可见光照射  对探头和连接缆线进行电磁屏蔽 深层离子注入型半导体探测器 SARAD 生产的深层离子注入型半导体探测器,是半导体离子注入新工艺产品。 使用离子注入装置，对离子进行加速，经过筛选和聚焦和再加速 ，射入硅片内部，整个 过程都在真空状态下进