平面掺杂异质结场效应管二维电子气浓度和材料结构尺寸之间关系.pdfVIP

　第 20 卷第 5 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 5　 V o l N o 　1999 年 5 月　　　　　　 　　　　　 　 , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay 平面掺杂异质结场效应管的二维电子气 浓度和材料结构尺寸之间的关系 李效白 (专用集成电路国家重点实验室　电子工业部十三所　石家庄　050051) 摘要　 本文对场效应管所用材料的隔离层, 调制掺杂层, 势垒耗尽层等材料结构尺寸, 异质 结界面的二维电子气浓度, 场效应管的夹断电压, 沟道电流等以及它们之间的关系进行了计算 分析, 可作为材料和器件结构设计的依据. : 2560 , 2560 ; 　 : 0530, 7145 EEACC R S PACC 1　引言 A nderson 等人在 30 多年以前已经提出异质结界面上会出现电子积累层和反型层, 1980 年首次报道了利用 做成的调制掺杂场效应晶体管. 匹配的和赝配的异 A lGaA s GaA s 质结场效应管(H EM T. PH EM T ) 的最高振荡频率目前达到 500GH z, 功率(Ku 波段、芯片) 达到 20 瓦. 它们的发展得益于材料结构的合理设计、生长设备和工艺技术的改进. ( ) [ 1, 2 ] 已经有不少文献报道了异质结界面二维电子气 2 的性质 , 计算了异质结的 D EG 2 浓度[ 3～ 6 ] , 分析了场效应管的阈值电压、平行电导和沟道电流[ 5, 7 ] , 其中对于均匀掺杂 D EG 的 异质结 做的工作比较多. A lGaA s GaA s FET ( ) 90 年代以来, 调制掺杂主要采用了 或平面 掺杂和原子层掺杂技术, 隔离层和异质结 界面采用了各种组分和配比的化合物半导体材料, 从而使得 2 浓度有了大幅度的提 D EG 高, 电子迁移率受到兼顾或得到改善, 跨导从 200 栅宽提高到 600 栅宽, 甚 m S mm m S mm 至达到 1300 栅宽. m S mm 本文考虑了异质结场效应管肖特基势垒层为平面掺杂、平面掺杂层和异质结界面层间 存在一个距离可改变的隔离层、异质结两边半导体由特定的选择所局限的一种结构, 对于这 种情况研究了一定条件下的 2 浓度与材料结构尺寸间的关系. D EG 　 专用集成电路国家重点实验室资助项目 李效白　男, 1941 年出生, 研究员, 从事砷化镓微波功率场效应管、化合物半导体器件和电路的物理和制造工艺研究 收到,定稿 390 　　　　　　　　　　　　　　　半　导　体　学　报