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1 .4 .6 三极管主要参数 一. 电流放大系数 1. 共发射极电流放大系数 直流β≈IC/IB 交流β≈ΔIC/ΔIB 均用β表示。 2. 共基极电流放大系数 直流α≈IC/IE 交流α≈ΔIC/ΔIE 均用α表示。 二. 反向饱和电流 1.集电极—基极间反向饱和电流ICBO 2.集电极—发射极间穿透电流ICEO ICEO = (1+β) ICBO β=α/(1－α) α=β/(1+β) 1 .4 .6 三极管主要参数 一. 电流放大系数 β≈IC/IB α≈IC/IE β=α/(1－α) α=β/(1+β) 二. 反向饱和电流 ICBO ICEO ICEO = (1+β) ICBO 三. 极限参数 1. 集电极最大允许电流ICM 2. 集电极最大允许功耗PCM 3. 反向击穿电压U(BR)CEO 、U(BR)CBO 三极管的安全工作区 1 .5 场效应管（Field Effect Transistor ） 场效应管是单极性管子，其输入PN结处于反偏或绝缘状态，具有很高的输入电阻（这一点与三极管相反），同时，还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射性强、便于集成等优点。 场效应管是电压控制器件，既利用栅源电压控制漏极电流（iD = gmuGS）——这一点与三级管（电流控制器件, 基极电流控制集电极电流,iC = βiB）不同，而栅极电流iD为0（因为输入电阻很大）。 场效应管分为两大类:结型场效应管（JFET——Junction Field Effect Transistor）、绝缘栅型场效应管（IGFET——Insulated Gate Field Effect Transistor）。 1 .5 .1 结型场效应管 一. 结构及符号 N沟道管靠（单一载流子）电子导电，P沟道管靠（单一载流子）空穴导电。场效应管的栅极G、源极S和漏极D与三级管的基极b、发射极e和集电极c相对应。 1 .5 .1 结型场效应管 二.工作原理（栅源电压UGS对漏极电流ID的控制作用） 以N沟道管为例。漏源之间的PN结必须反偏。 N沟道结型场效应管加上反偏的栅源电压UGS (UGS＜0) ，在漏源之间加上漏源电压UDS(UDS＞0)，便形成漏极电流ID。而且UGS可控制ID。 * 第一编 模拟部分 第一章 半导体器件的特性 第二章 放大器基础 第三章 集成运算放大器 第四章 反馈放大器 第五章( 模拟)信号运算电路 第六章 波形发生器 第七章 功率放大器 第一章　半导体器件的特性 半导体材料、由半导体构成的PN 结、二极管结构特性、三极管结构特性及 场效应管结构特性。 本章主要内容： 返 回 前 进 1 .1 半导体（Semiconductor）导电特性 根据导电性质把物质分为导体、绝 缘体、半导体三大类。 而半导体又分为本征半导体、杂质 （掺杂）半导体两种。 1 .1 .1 本征半导体 纯净的、不含杂质的半导体。常用的半导体材 料有两种：硅（Si）、锗（Ge）。 硅Si （锗Ge）的原子结构如下： 这种结构的原子利用共价键构成了本征半导体结构。 但在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发） ，呈现导体的性质。 这种稳定的结构使得本征半导体常温下不能导电，呈现绝缘体性质。 但在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发） ，呈现导体的性质。 这种稳定的结构使得本征半导体常温下不能导电，呈现绝缘体性质。 在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。 空穴也可移动（邻近电子的依次填充）。 在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。 空穴也可移动（邻近电子的依次填充）。 在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。 空穴也可移动（邻近电子的依次填充）。  半导体内部存在两种载流子（可导 电的自由电荷）：电子（负电荷）、空 穴（正电荷）。 在本征半导体中，本征激发产生了 电子—空穴对，同时存在电子—空穴对 的复合 。 电子浓度 = 空穴浓度 ni = pi 1 .1 .2 杂质半导体 在本征半导体中掺入少量的其他特定元素（称为杂质）而形成的半导体。 根据掺入杂质的不同，杂质半导体又分为N型半导体和P型半导体。 常用的杂质材料有5价元素磷P和3价元素硼B。 N型半导体内部存在大量的电子和少量的空穴，电