水基电沉积CuInSe2薄膜制备中络合剂对组元沉积电位影响.pdfVIP

水基电沉积CuInSe 薄膜制备中络合剂对组元沉积电 2 位的影响 李成杰，靳正国，杨靖霞，王文静 天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室, 天津 (300072) E-mail ：lcjman11@ 摘 要：本文给出了一种水基电沉积CuInSe 薄膜过程当中沉积电位变化的研究方法。通过 2 向氯化铜(CuCl •2H O) ，氯化铟，(InCl •4H O) ，和氧化锡（SeO ）水溶液内加入不同种类 2 2 3 2 2 的络合剂，讨论了加入不同络合剂后溶液的单扫描曲线变化情况。证明了络合剂能够使电沉 积过程中的电位发生正向或者负向移动，刺激反应加快或者使反应放平缓的作用。 关键词：CuInSe2 薄膜；络合剂；单扫描；电沉积 中图分类号：O614.242 1. 引言 自从1974年美国贝尔实验室在CdS上蒸镀CulnSe 制得铜铟硒（CIS ）薄膜太阳能电池以 2 来，CIS薄膜电池的研究取得了显著进展。1982年Boeing[1]公司用物理蒸发法将转化效率提 高到10.6%，由此引起人们更多地关注。目前其转化效率已经达到18%[2]，成本也有所降低， 展现了其良好的商业化发展前景。 [3] [4] CuInSe 薄膜的制备现已涉及多种物理和化学的方法，例如真空蒸镀法 、电沉积法 、 2 [5] [6] [7] [8] 反应溅射法 、化学气相沉积法 、分子束外延法 J 、连续离子层吸附反应（SILAR ）法 、 喷射热解法 [9]等。电沉积方法因操作简单、成本低廉、可大面积生产等原因而备受推崇。 采用电沉积方法制备CuInSe2薄膜的研究很多[10-11]，但大部分都是在电解质溶液为水基酸性 [13-19] ，也有少数报道在碱性条件下制备CuInSe 薄膜[20,21] 。 条件（pH范围：1.0-3.0）下制备 2 近中性pH条件下制备CuInSe2 薄膜有许多便利，如可以在耐酸碱性差的基底上进行CIS沉积 等，然而至今尚未看到有关报道。 研究工作已经表明，pH值对电沉积过程具有显著的影响，在酸性或强碱性条件下比较 容易找到合适的沉积电位而能够成功制备出CuInSe2薄膜[13-21] 。然而在近中性pH条件下获取 合适的沉积电位比较困难。本文采用水基络合CIS沉积体系，在常温下调查了不同络合剂对 水基电沉积液中各组元沉积电位的影响，讨论了使用络合剂在近中性pH条件下实现CuInSe2 薄膜电沉积制备的可行性。 2. 实验过程 2.1 实验药品 本实验采用氯化铜(CuCl •2H O)， AR为99.0% ；氯化铟，(InCl •4H O) AR为 In≥39%和 2 2 3 2 氧化锡（SeO2 ），AR为97.0%为电解质主要原料，以去离子水为溶剂，采用柠檬酸钠(CitNa)、 柠檬酸| （Citric acid ）、氨水、乙二胺四乙酸 （EDTA ）、三乙醇胺 （TEA ）、二乙烯三胺 （DEA ） 为络合剂。 2.2 电沉积装置