a—Si：H中光致亚稳变化与载流子复合.pdfVIP

维普资讯 ＼、 墩i托 、粥 、 均 ‘暇． ． 第 l3卷 第 7期 半 导 体 学 报 VoL 15．№ ， 1992年 7月 CH INESE JOURNAL OF SEM ICONDUCTORS J1d ．1，，2 l，一 b a_Si：H 中光致亚稳变化与载流子复合 石知非 毛自力 一 (中国科学院半导体研究所，北京，lO003) 批(北京京大学物理系，北京，100S71) —下7，＼『? ‘丫． —j (1991年4月 L1日收到，同年 ，月23日修改定稿) 本文通过对光致亚稳缺陷产生动力学的唯象分折 ，及与光致光电导变化的实验结果的比 较 ，讨论对光致亚稳缺陷的产生起主导作用的光生载流子的复台机构． 一 、 引 言 近年来，人们对 -Si：I--I薄膜中的光致亚稳变化做了很多研究工作，已经确认 ：光 致亚稳缺陷主要是中性的 si悬键，且是由于光生载流子的复合提供能量而产生的．对 于光致亚稳缺陷产生的微观机制，虽然巳提出了各种模型0一，但至今仍没有一致公认的 结论，对产生光致亚稳缺陷有贡献的载梳子复合机构也众说纷云 ～． 弄清究竟是哪种 复合机构对亚稳缺陷的产生起主要作用，无疑对进一步认识亚稳效应的物理机制有重要 意义．本文的 目的是通过对光致亚稳缺陷产生动力学的唯象分析 ，及与光致光 电导衰退 的实验结果的比较 ，来讨论对光致亚稳缺陷的产生有贡献的光生载流子的复合机构． 二、光致亚稳缺陷产生的动力学方程 我们将从以下几点基本假设出发来写出亚稳缺陷产生的动力学方程： 1．光致亚稳缺陷是中性的 si悬键．其浓度用Ⅳ表示，如原有悬键浓度为 ⅣI，贝IJ总 悬键浓度 M 一 Ⅳ0+Ⅳ． 1) 2．光致亚稳缺陷的产生是 由某种光生载流子的复合提供能量，所以其产生率正比于 这种复合机构的复合率 ； 3．存在着某种产生中心，亚稳缺陷是 由产生中心转变而成 ，所 以亚稳缺陷的产生率应 正比于产生中心浓度 Ne； 4．如众所周知，I50qG以上退火可使亚稳缺陷消失，亦即使亚稳变化恢复，我们认为： 这种热恢复过程在任何不太低的温度下都存在，其速率正比于已产生的亚稳缺陷的浓度 维普资讯 半 导 体 学 报 Ⅳ，可写成 AN，A依粒于温度 ； 5．光生载流子的复合，也可以提供能量促使亚稳缺陷恢复为产生中心，这可称为 “光 恢复过程 ，光恢复项应正比于 RN． 于是 ，动力学方程可以写为： 。 一 BN．R—AN— CNR， (2) 4 。 其 中 、B．c为 比例系数 ． 方程 (1)与 Redfieldm提出的动力学方程很相似，但有三点不同： 1．我们的方