无酸水热法制备多孔硅及其PⅢ表面改性.pdfVIP

维普资讯 毯 料 无酸水热法制备多孔硅及其 PIII表面改性 李慧，卢茜，吴子景 ，吴晓京 (复旦大学 材料科学系，上海200433) 摘要：采用无酸水热法，制备 了多孔硅材料。使用扫描电子显微镜、原子力显微镜等手段观 察了样品表面形貌，比较 了在不同氧化铋刻蚀剂量下得到的多孔硅结构 ，发现随着刻蚀剂浓度的 增加 ，平均孔径尺寸变大，且孔径分布趋于离散 。使用等离子浸没注入技术，对多孔硅样品进行 了表面注氮处理。室温荧光光谱研 究发现处理后 的样品的光谱峰位产生 了蓝移，根据 x光电子 能谱仪检坝l的结果发现样品表面形成了Si．N 0 相 ，这一物相的出现导致了光谱的蓝移。 关键词 ：无酸水热法；多孔硅 ；等离子体浸没注入技术；光致发光 中图分类号：TN305．3 文献标识码 ：A 文章编号：1003．353X (2008)06．0488．40 PorousSiPreparedbyHydrothermalEtchingand ItsSurfaceTransformationInducedbyPIII LiHui，LuQian，WuZijing，WuXiaojing (DepartmentofMaterialsScience，FudanUniversity，Shanghai200433，China) Abstract： Hydrofluoric-·acid-·free hydrothermM-·etching technique WaS used for preparing porous Si (PS)．SurfacemorphologieswereobservedbySEMandAFM．ItisofundthatwiththeincreaSingofbismuth oxidedosagetheaverage sizeofholesbecomelarger， andthedistributionofthehole sizesbecomemuch broad．Byplasmaimmersionionimplantation (PIII)technique，highdosenitrogenionswereimplantedinto thesurfaceofporousSi．Roomtemperaturephotoluminescence (PL)spectrum showsablue-shiftintheN- ionsimplantedsample．TheXPSspecturmsshow theformationofSi-N 0vinPS，whichcausetheblue-shift ofPL． Keywords：hydrofluoric-acid-free；poroussilicon；PIII；PL EEACC：2550B 材料的操作较为复杂，成本 比较高，且制备过程中 0 引言 所产生的废液还会污染环境_4J。 1990年 ，L_T．Canham等人_1在 室温 下发现 了 水热法是合成无机材料的重要方法之一 ，是一 多孔硅 (PS)的光致发光现象，为 si基光 电器件 种在密闭容器 内完成 的湿化学方法，温度一般控制 提供了广阔的前景。目前 ，制备多孔硅的方法主要 在130～250cI=，相应的水蒸汽压是0．3～4MPa。这 有电化学 阳极腐蚀法 、化学染色腐蚀法、火花腐蚀 一 方法的最大优点是不需高温烧结即可直接得到结 法等。用 HF和酒精混合溶液 电化学阳极腐蚀方法 晶粉末，省去了研磨及 由此带来的杂质。水热法可 制备的多孔硅发光峰位置一般都在7