一种精密CMOS带隙基准电压源设计与实现.pdfVIP

西北大学学报( 自然科学网络版) 2006 年 7 月，第 4 卷，第 4 期 Science Journal of Northwest University Online Jul. 2006 ，Vol.4 ，No.4 一种精密CMOS带隙基准电压源的设计与实现 王进军，田 泽，李 攀，张 强，王 谨，刘宁宁 (西北大学 信息科学与技术学院, 陕西 西安，710069) 摘 要：采用0.6μm 标准CMOS 工艺设计并实现了一个与n 阱工艺兼容的高精密CMOS 带隙基准电 压源电路，SPECTRE 模拟表明：该电路具有较高的精度和稳定性，输出基准电压2.313V ，带隙基准 随输入电压的直流变化最大偏移为0.06mV ，基准最大静态电流约为34μA；基准随温度变化最大偏 移为 12mV，偏置电流I BIAS 基本上不受电压影响，而与温度成线性关系，实现了一阶PATA 温度补 1/2 偿；基准环路增益98dB ，相位裕度65 度；具有较高的电源拟制比PSRR；输出噪声小于500nV/Hz ， 输出启动时间小于25μs。 关 键 词：带隙基准源；电源抑制比；温度补偿；温度系数；环路增益；相位裕度 中图分类号：TN984 文献标识码：A 文章编号：1000-274X(2006)0222-09 基准电压源是集成电路中一个重要的单元模块，是A/D ，D/A转换器以及通信电路中的一个基本元件。它 的温度稳定性以及抗噪声能力是影响A/D ，D/A转换精度的关键因素，甚至影响到整个系统的精度和性能。因 此，设计一个好的基准电压源具有十分重要的现实意义。 带隙基准源电路由于具有低温度系数，低电源电压以及可与标准CMOS工艺兼容等优点而获得了广泛的研 究和应用，其原理如图1所示： 带隙基准的工作原理是根据硅材料的带隙电压与电压和温度无关 △ 的正温度系数与双极型晶体管V 的负温度系数相 的特性，利用 V BE BE 互抵消，实现低温漂、高精度的基准电压。双极型晶体管提供发射极 偏压V ；由两个晶体管之间的△V 产生V ，通过电阻网络将V 放大α 图 1 带隙基准示意图 BE BE T T 倍；最后将两个电压相加，即 V V =+αV ，适当选择放大倍数α， Fig.1 The sketch map of bandgap REF BE T 使两个电压的温度漂移相互抵消，从而可以得到在某一温度下为零温度系数的电压基准。基于此，本文设计 了一个具有自启动功能，且有良好的温度特性和电源抑制比的基准电压源电路。 1 电路结构 [3] 为了克服用单个双极pnp 晶体管作为运放的输入来产生基准的电路中 ，由于运放的输入电压比较低难以 满足运放共模输入电压范围的要求以及减小运放失调对带隙基准电路输出的电压的影响，保证带隙输出电压 的稳定，这里采用两个pnp双极晶体管基极—发射极串联的等效电路结构，如图2所示， R 、R 、R 、Q 、Q 、 1 2 3 1 2 Q 和Q 构成带隙电压产生器，放大器AMP_REF和M 为反馈电路，保证了A和B点电位相等。在图2 中两个pnp 3 4 1 _________