金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究.pdfVIP

维普资讯 第 54卷 第 7期 2005年7月 物 理 学 报 Vo1．54，No．7，July，2005 1000—3290／2005／54(07)／3363—07 ACTAPHYSICA SIN1CA @2005Chin．Phys．Soc． 金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管 以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究* 孟志国 吴春亚 李 娟 熊绍珍 郭海成 王 文’ (南开大学信息学院光电子器件与技术研究所 ，光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 ， 光 电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学，天津大学)，天津 300071) z(香港科技大学电机电子工程系，香港九龙清水弯) (2003年 12月 19日收到；2004年 12月31日收到修改稿) 提 出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管 (LT—MIUCpoly—Sirfrr)的技术 ．使用该技术可在 大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率 、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件 ．在进一步的研究中，设计 了 一 种新型的栅控轻掺杂漏区(GM．LDD)结构 ，有效地解决 了在较高源漏电压 下的栅诱导漏电问题 ．使得 LT—MIUC poly—Sirfrr更适用于高质量 的有源矩阵显示器 ． 关键词 ：金属单向诱导横向晶化 ，多晶硅薄膜晶体管，新型栅控轻掺杂漏区结构 PACC ：7360，7360F，7360L，7360P 沟道和 自对准 MIC源漏区的 TFr已见报道 ．这种 1．引 言 技术适合于大面积微电子产品 j，而且其 TFr的特 性参数明显优于常规的SPC—TFT．但是这类器件的 便携式计算机、掌上电脑 (PDA)和图像手机具 缺点是易于击穿且漏 电较大 J．产生此 问题的主要 有很大 的市场，薄而轻且低功耗 的平板显示器 原因是沟道两端的MILC与 MIC界面所形成的横 向 (FPD)是上述产品中不可缺少的人机界面 ．随着对 晶界(MMGB)和沟道区内MILC晶化形成的晶粒与 显示器清晰度的需求不断增加，选址方式也从无源 晶粒之间的横 向晶界 (LLGB) ‘．为此我们提出一 矩阵(PM)向有源矩阵 (AM)发展 ．高清显示器急需 种叫做金属诱导单 向横 向晶化 (MIUC)的TFr技 低成本、高迁移率 、低漏电的低温多晶硅薄膜晶体管 术 ．MIUC—TFr技术不但保持了长形的平行于沟 (LTPSTFfr)的技术，乃至将驱动电路与 AM矩 阵集 道的MILC晶粒结构 ，而且还能将所有 的MMGB和 成于同一衬底的系统集成 (SystemonPanel，SoP)的 LLGB横 向晶界从沟道中去除掉 ．与通常的双向晶 模块技术 J． 化的MILC．TFr相 比，MIUC．TFr的电子和空穴 的场 现在 ，可 以通过 固相晶化 (SPC)tsl、准分子激光 效应迁移率 ( )能明显得以提高，且能同时