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维普资讯 第28卷 第6期 发 光 学 报 V01．28 No．6 2007年 l2月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Dec．．2007 文章编号：1000-7032(2007)06-0907~6 CdSe／ZnSe复合结构非对称量子阱的发光特性 高 威 ，郑著宏 ，公维炜 ，郑金桔 ，胡学兵 ’ (1．中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 激发态物理重点实验室，吉林 长春 130033； 2．中国科学院研究生院，北京 100049) 摘要 ：利用MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了非对称量子阱结构CdSe／ZnSe材料，通过对其稳态变温 光谱及变激发功率光谱，研究了其发光特性。稳态光谱表明：在82～141K时，观测到的两个发光峰来源于不 同阱层厚度的量子阱激子发光，用对比实验验证了高能侧发光的来源。宽阱发光强度先增加后减小，将其归 结为激子隧穿与激子热离化相互竞争的结果。通过 Arrhenius拟合 ，对宽阱激子热激活能进行了计算。82K 时变激发功率PL光谱表明：由于激子隧穿的存在 ，使得窄阱发光峰位不随激发功率变化而变化，宽阱发光峰 位随激发功率增加发生了蓝移 ，并对激子隧穿进行了实验验证。 关 键 词：非对称量子阱；激子隧穿；光致发光 中图分类号：0482．3l PACC：3250F；7855 文献标识码：A n型 GaAs的(100)面上 ，以二甲基锌 (DMZn)、二 1 引 言 甲基镉(DMCd)和硒化氢 (HSe)分别作为锌源、 ZnSe基 Ⅱ．Ⅵ族半导体量子阱和超 晶格结构 镉源和硒源 ，生长温度为550℃，整个生长过程均 大的禁带宽度和大的激子束缚能使其成为短波长 未故意掺杂。对于样品A，先在GaAs衬底上生长 光电器件 (如蓝／蓝绿光半导体激光器、光开关、 112nm厚的ZnSe缓冲层，然后生长三个 CdSe量 光电探测器等)研制及激子特性研究的重要候选 子阱层，其厚度分别为22ML(Monolayers)，22ML 材料 。对于普通的对称量子阱，其均匀性和对称 和 10ML。阱层 问生长的ZnSe垒层厚度分别为 性使得阱问的能级都是通过共振隧穿来实现耦合 34，3．9nm，最后生长 51llm的ZnSe盖层 。样 品 的，在不存在外场的情况下，粒子的隧穿是无方向 B的生长条件与A相 同，只是其三个阱层厚度 同 性的。由于非对称量子阱的非对称特性使相邻阱 为 IOML的单量子阱，阱层问的ZnSe垒层厚度为 中的电子(空穴)能级彼此错开，隧道效应使激子 34nm 。 在短时问内由窄阱单向地隧穿到相邻宽阱中…。 光致发光光谱测量的激发光源是 He．cd激 因而为深入研究粒子的隧穿性质及开发新一代隧 光器的325nm线，光谱由与JY．T800型Raman光 穿器件提供了方便，也展现了与普通对称量子阱 谱仪相连的CCD探测器接收测量。样品A与 B 不同的发光特性。本文研究了用MOCVD技术在 的光谱测量条件相同。变激发功率光谱由光功率 GaAs衬底上生长的CdSe／ZnSe非对称量子阱的 计与中性滤光片配合 Raman光谱仪和CCD探测 发光特性，并对其激子隧穿效应在实验上进行了 器测得。 验证 。 3 结果与讨论 2 实 验 图1(a)是CdSe／ZnSe复合结构量子阱在325 实验室所用样品是用常压MOCV