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30 3 Vol. 30 No.3
2007 6 SHANDONG CERAMICS Jun. 2007
: 1005- 0639(2007)03- 0007- 07
1,2 2
杨克涛 ,傅仁利
(1. , 271000;2., 210016)
采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积AlN 薄膜 过XRD
SEM 对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能结果表明:在靶基距和溅射功
率分别为5cm150 ,衬底温度在室温25 ~ 300 内制备的AlN 薄膜为六方晶型,沿c 轴平
行于衬底表面的(100)和( 110) 晶面生长AlN 薄膜表面有很多蠕虫状形态的晶粒随机地分
布在膜平面内,这可能是200 的衬底温度下AlN 薄膜介电性能较好的原因
直流磁控反应溅射;AlN 薄膜;介电性能;蠕虫状
:TB43 :A
AlN ,
1
AlN,
2
AlN 2.1
1.5mm
, (Al !99.7%), = 60mm
, 28mm ∀
,, 28mm,,
() 10min,
AlN () 10min,
2.2
1
: 2007- 03- 20
:( 1981- ),,,
8 30
1 AlN
T/ P/ d/cm P/Pa
1 300 150 5 1.0
2 200 150 5 1.0
3 150 5 1.0
JGP500
AlN
, ,
30min,
AlN 1 3 AlN XRD
2.3 ( d= 5cm, P= 150 )
FeiQuanta 200 ,(1)
Bruker D8 advance 2AlN
(CuK,40kv)X 2 :,
,
Agilent 4294A
, In
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