导纳谱的研究锗硅单量子阱退火效应.pdfVIP

　第 19 卷第 1 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　 　　 . 19, . 1　 V o l N o 　1998 年 1 月　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　Jan. , 1998　 导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应 柯　炼　林　峰　张胜坤　谌达宇　陆　　　王　迅 ( 复旦大学应用表面物理国家重点实验室　上海　200433) 摘要　利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性. 导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级 缺陷研究表明: 在 900 ℃以下退火 10 分钟, 晶格弛豫并不明显, 但原子的互扩散引起量子阱中 子能级严重降低. 同时, 我们计算出了原子的互扩散系数, 以及单量子阱 中原 Si Si Ge Si 0. 75 0. 25 子互扩散的热激活能 108eV. : 0750, 6822, 0365, 7340 PACC L 1　引言 由于应变以及锗的组分都能改变锗硅合金层的能带结构, 所以应变的锗硅量子阱在微 [ 1 ] 电子和光电子器件方面具有广阔的应用前景 . 然而, 量子阱的热稳定性是材料生长和器件 制备时所遇到的一个重要问题. 在高温环境下, 异质结界面成分的互扩散将影响界面的陡峭 性; 应变弛豫将引入位错缺陷. 在一定条件下, 这两大因素互相联系, 增加了对其进行研究的 难度. [ 2, 3 ] [ 4, 5 ] [ 6 ] X 射线 , 卢瑟福背散射 以及RAM AN 光谱 都是研究此系统热稳定性的良好手 段. 但是, 它们需要样品的结构是超晶格或异质结. 这与器件应用中所感兴趣的单量子阱结 构还存在一定的差别. 由于此体系为间接带隙, 用 PL 谱来研究单量子阱结构的热稳定 性[ 7, 8 ] 要求晶体的质量较高和测试温度较低. 八十年代后期, L ang 等人将导纳谱移植于半导 [ 9 ] [ 10 ] 体锗硅异质结能带偏移的测量 . 在本文中, 我们首次用导纳谱的载流子热发射模型 来 研究单量子阱的退火效应, 发现了扩散引起重空穴基态子能级变小, 子能级上空穴浓度减 小. 根据子能级上空穴的激活能, 我们估算出了扩散系数以及其热激活能. 2　测试原理 在零偏压条件下, 量子阱靠近肖特基势垒区, 耗尽区势垒将由量子阱势垒和肖特基势垒 共同形成. 当测试的交流信号频率较高, 并且温度较低时, 阱中空穴浓度的变化将跟不上高 频测试信号的变化. 此时, 越过势垒的空穴由阱中子能级上空穴的发射频率决定. 由热发射 模型[ 10 ] , 样品的交流电导 G 和电容 C 为: 　 本课题得到国家自然科学基金部分赞助 柯　炼　复旦大学物理系凝聚态物理硕士 王　迅　博士导师, 复旦大学应用物理国家重点实验室教授 收到,定稿 1 期　　　　　　　　柯　炼等: 　导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应