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第30卷第4期 微电子学 Vol30．№4
2000年8月 Microelec[ronics
3365(2000104—0263—05
文章编号：1004
低功耗CMOS逻辑电路设计综述
甘学温，莫邦燹
(北京大学微电子所，北京100871)
摘要：分析了CMOS逻辑电路的功耗来源，从降低电源电压、减小负载电容和逻辑电路开关活
动几率等方面论述了降低砷耗的途径。讨论了深亚微米器件中亚闽值电流对功耗的影响以厦减小
亚阏值电流的措施，最后分析了高层次设计对降低功耗的关键作用，说明低功耗设计曲颓从设计的
各十层次加喇考虑，实现整体优化设计。
关键词： VLSI；cM0s逻辑电路；低功耗电路；深亚微米器件．
中国分类号：TN47 文献标识码：A
AnOverviewofLOW—PowerCMOS
Digital Design
GAN
Xue—well，MO
Bang—xian
(ImtiIufeof 100871t P．RChina)
MtcroeIectrontcs．PekingUmⅥrntY．Betjmg
Abstract： for are to c。n
Sourcesof CMOS power
powerconsumption analyzedApproachesminimiamg
digital
ofthe circuit and andtransitionactivitiesa[-e
sumption byscalingsupplyvoltagedecreasingcapacitance
CMOS]ogic
On in submicrondevicesBrediscussed，
described．Effectsofthesubthresholdcurrentthe
powerconsumptiondeep
and torestrainsubthresholdcurrentaredealt tor areexaminedin
strategies with．Techniqueslow—powerdesign
termsof architectureand
sty[e；circuit optlmizations．
technology，logic algorithm
submicrondevice
words：VLSI；CMOScircuit}Lowcircuit；Deep
Key digital power
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