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电源浪涌保护器的参数选择及线路保护 摘要：??对电源浪涌保护器的几个主要参数进行分析，提出在不同的供电接地系统中，选择和安装电源浪涌保护器时应注意的问题。 关键字：??浪涌保护器,??电涌保护器,??过电压保护 浪涌保护器(Su rge p ro tect ive device, SPD) , 也称电涌保护器、避雷器等，它的作用是保证电子设备免受浪涌过电压(雷电过电压、操作过电压等) 的破坏，既不影响设备的正常工作，又将浪涌过电压限制在相应设备的耐压等级范围内，目的在于限制瞬态过电压和分走电涌电流，也是等电位连接的一种方法。 在实验中，以电压波形保持不变，升高电压，每个电压可以获得一个击穿时间，以电压为纵轴，时间为横轴，可以画出伏秒特性，由此得知，为了保证SPD 能够在全时域范围内保护设备不受浪涌过电压的破坏，它的冲击伏秒特性必须在用电器冲击伏秒特性的下方，这是选择SPD的原则，也是SPD生产厂家必须提供的保证。来源:大比特半导体器件网 1 SPD 的分类，按使用非线性元件的特性来分 1.1 电压开关型SPD 常用的非线性元件有放电间隙、气体放电管等，它具有大通流容量(标称通流电流和最大通流电流) 的特点，特别适用于易遭受直接雷击部位的雷电过电压保护(即L PZ0A 区)。来源:大比特半导体器件网 1.2 电压限制型SPD 常用的非线性元件有氧化锌压敏电阻、瞬态抑制二极管等，是大量常用的过电压保护器，一般适用于室内(即L PZ0B、L PZ1、L PZ2 区)。 1.3 组合型SPD 由电压开关型元件和限压型元件混合使用，随着施加的冲击电压特性不同，SPD 有时会呈现开关型SPD 特性，有时呈现限压型SPD 特性，有时同时呈现两种特性。来源:大比特半导体器件网 2 表征SPD 的主要技术参数选择 2.1 保护模式 SPD 可连接在L (相线)、N (中性线)、PE (保护线) 间，如L 2L、L 2N、L 2PE、N 2PE, 这些连接方式与供电系统的接地型式有关。 2.2 最大持续工作电压Uc 可能持续加于SPD 两端的最大方均根电压或直流电压，其值等于SPD 本身的额定电压。来源:大比特半导体器件网 IEC6036452534 中提出，在TT 系统中，当SPD 设在漏电流保护器(RCD) 的电源侧时，U c≥1.1U o; 当SPD 设在漏电流保护器的负荷侧时，U c≥1.5U o. 在TN 系统和IT 系统中，U c≥1.1U o.U c 的选择要考虑到当地电网的水平波动及用户用电的具体情况，不是一味取大值为好，因为U c 取大，整个压敏器件启动电压也高，浪涌电压将对设备产生危害。国际标准有一系列的优选值，与当地电网水平有关。来源:大比特半导体器件网 2.3 雷电通流量Imax 一般在L PZ0 与L PZ1 区交界处选用10/350u s波形、每相通流量≥10KA 的SPD 安装，在L PZ1 与L PZ2 区交界处选用8/2 0u s 波形，每相通流量≥5KA 的SPD 安装。由于10/350u s 波形的能量比8/20u s 的大20 倍，其电流相应大5 倍，如果要用8/20u s 波形的SPD 代替，其雷电通流量相应要大5倍。 2.4 保护水平Up 该值应比在SPD 端子测得的最大限制电压大，与设备的耐压Uw 一致(1.2U p ≤Uw ) , 可以从一系列的参考值中选取(如0108、0109、……1、1.2、1.5、1.8、2、……8、10KV 等)。目前国标当中较好的U p有800V、900V. 2.5 漏电流 并联型SPD 要求漏电流≤30uA (公安部要求≤20uA ) , 串联型SPD 要求漏电流≤01.mA. 来源:大比特半导体器件网 2.6 启动电压Uas 过去认为启动电压即标称压敏电压，实际上通过SPD 的电流可能远大于测试电流1mA , 这时不能不考虑已经抬高的残压对设备保护的影响。从压敏电压到启动电压的时间(即SPD 的响应时间) 比较长，约为100n s.启动电压越高则残压也越高，越低则压敏电阻易老化。其值不应大于被保护设备的绝缘水平。 2.7 残压Ures 是真正加在被保护设备端口的电压。残压越低越好，应小于被保护设备耐冲击过电压额定值。见表1: 来源:大比特半导体器件网 表1 220/380V 三相系统各种设备耐冲击过电压额定值Uw 2.8 标称放电电流In 用来划分SPD 等级，具有8/20u s 或10/350u s 模拟雷电流冲击波的放电电流。Imax= 2~ 3 In。来源:大比特半导体器件网 2.9 持续工作电流Ic 在最大持续工作电压U c 下保护模式上流过的电流，实际上是各保护元件及与其并联的内部辅助电路流过的电流之和。为避免过电流保护设备或其它保护设备(如RCD) 不必要