导电聚合物硫族半导体纳米复合发光薄膜的研究进展.pdfVIP

2980 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 导电聚合物-硫族半导体纳米复合发光薄膜研究进展 ∗ 张润兰，周安宁 （西安科技大学化学与化工系，陕西 西安 710054 ） 摘 要：导电聚合物-硫族半导体纳米复合光电薄膜 n 型半导体，同时又都属于直接跃迁型半导体材料， 综合了无机、有机、半导体、纳米材料的多种功能， 由于直接跃迁能带结构的晶体较间接跃迁型来说，复 将会在光电领域有良好的发展前景。本文论述了硫族 合几率要高2~3 个数量级，所以是一类制作发光二极 半导体、导电聚合物及其两者复合的纳米发光薄膜的 管的较理想的材料。 最新研究成果，归纳了该类复合材料的主要制备方法 上世纪 70 年代末，德国维尔兹堡大学用 II-VI 并重点讨论了原位生成法的技术特点。最后提出了该 族半导体材料硒化锌镁硫制成一种 PIN 光电二极管, 类发光薄膜的关键问题和今后的发展方向。 在 430nm 波长的外量子效率为 58% ，峰值内量子效 关键词：纳米复合材料；硫族半导体；导电聚合物； 率为80% ，这种材料以前主要用于某些发蓝光二极管 光电薄膜；发光二极管 激光器（LD ）的制造 [4] 。1991 年美国3M 公司和 1993 中图分类号：TB34 ；TB43 文献标识码：A 年日本索尼公司首次获得了 77K 脉冲和室温连续 1h 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-2980-06 的ZnSe 蓝绿色激光，基于LD 与LED （发光二极管） 在原理上有相同之处，使得蓝-绿色LED 也有了突破 1 引 言 性进展。1994 年美国迈阿密Eagle-Picher 实验室与北 有机无机纳米复合材料在过去十年间引起了人 卡罗纳州大学联合在ZnSe 体单晶上制备了以ZnTeSe 们极大的兴趣，其原因归于它们具有优良的光、电、 为发光层和以ZnTeSe→HgSe 作为p 型ZnSe 欧姆接 催化性能和优良的机械性能。这类新材料结合不同组 触的ZnSe pn 结的室温、高亮度绿色发光二极管，在 分的优异性质于一体，并显示出了母体材料所不具备 10mA、4V ，对应外量子效率2% ，发光效率 13.6 流 的新性质。在此领域里，由于硫族半导体纳米材料的 明/W 。到1995 年发光效率和寿命都得到了明显的提 独特的光学非线性、电致发光、光致发光等特性，以 高，使用寿命有的超过一千小时以上[5] 。 及量子尺寸效应和其它一些重要的物理、化学性能， 由于半导体禁带宽度影响，限制了许多材料在发 被广泛用作一种分散相物质与导电聚合物材料复合。 光领域的应用。早先常用的是ZnS和碱土硫化物如 因硫族纳米半导体与导电聚合物在光致发光、电致发 SrS、CaS等宽禁带材料。纳米技术的产生也使许多禁 光具有极好的协同作用，制备的该类发光薄膜越来越 带宽度较窄的其他硫族半导体发光成为可能。当半导 受到重视[1,2] 。 体晶粒尺寸达到纳米级时，由于量子尺寸效应可使材 料的禁带宽度变宽。1998年，M.V. Artemyev[6]等制备 2 硫族半导体在发光领域的应用