焊接晶闸管模块的新装配工艺.pdfVIP

一 … … ～ 5EMIKRnN 焊接晶闸管模块的新装配工艺 今天，市场发展的趋势要求系统 能有任何妥协的前提 下，新版模块的层 的高可靠性 ，这些趋势正是焊接双极 数更少：新设计的DBc衬底上不再有钼 模块发展的背后动力。现在这些模块 层和铜层；芯片是直接焊到DBC上的。 有 了一个全 新的设计结构 ，焊 层更 如图l所示，新一代的SEMIPACK 少 ，采用了角型栅极可控硅以及升级 的层数更少 。第六代和第五代的设计图 了的弹簧压接技术，从 而提高可靠性 对 比。 a)第六代SEMIPACK模块 并降低了热电阻，结果是输出电流增 大 了 l0％以上 。 2 减少热阻 在功率循环 (10000次负载循环 ， l 技术 △T，=l00K)中，焊层是至关重要的。 鉴于工业应用中对功率模块 日益 故 障机理 是焊 料疲 劳会导致 热 阻增 加 b)第六代SEMIPACK设计图 增加的功率密度 、可靠性和成本效益 和模 块过 早发 生故 障 。表 征封 装设 备 的要求，功率半导体制造商正不断努 热性 能的一个 通常方法是通过 半导体 力开发新模块，这些新模块在拥有高 器件 的 “热阻 ；热 阻表示 在某一给定 度可靠性的 同时成本也低 。 参 考值之 上 ，对于 芯片表面所 耗散 的 新模块中，DBC衬底和栅极辅助 每瓦功率 ，芯片结的稳态温升 『Ii。新一 C)第五代SEMIPACK设计囤 阴极端子之间的电气连接 由弹簧压力 代 模块 中 ，热阻减小 了 ，并且可 靠性 图1 SEMIPACK设计图对比 触点提供 。机械设计方面更深入的改 也提高 了 。与 当前 一代 的模 块相 比， 变 是减少 了焊层 。由于热 阻减小 了， 新一代模 块的热 阻要低 得多 。 使得输 出电流大 ，并增强了可靠性 。 如图2所示 ，主要模块材料的热膨 Chip _ 4．1’10-SK-1 DCBsubstrate 暑皇 7,4·lO．eK-1 虽然新一代模块拥有众多 的改 胀系数 (CTE)。与前一代相比，第六代 Copper 17．5．104K-’ 进 ，但是新SEMIPACK模块的外封装 SEMIPACK的设计使热阻减少了33％。 图2 主要模块材料的CTE 尺寸还和当前模块的尺寸一样。赛米 控公司，作为 SEMIPACK l的发明 3 减少热应力 该应力与材料 CTE的差异，刚性连接 者，坚持采用同样的模块尺寸 ，说明 功率半导体模块的特 点是它们具有 的长度以及超温△T成正比。因此，功 散热器的大小以及辅助端子的高度和 单独的 电流和散热路径。不 同的材料 ： 率模块 比须被设计成能满足给定应用 位置都保持不变。对于客户来说 ，这 绝缘体 ，导体 ，当然还有半导体一一都 的热应力要 求 【2l。为了符合这一要 意味着无需改变设计 ，例如到直流环 必 须 连 接 在 一起 。 由于 热膨 胀 系数 求 ，新模块采用了新的焊接材料 ，以 节的连接或散热器的钻孔 。 (CTE)存在差异，在温度和功率循环中， 便在DBC和半导体的CTE差异中进 在没有影响机械设计或对电气性 相互连接的材料之 间会产生机械应力 。 行折衷 。