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第 卷第 期 功能材料与器件学报
9 3 Vol. 9, No. 3
年 月
2003 9 JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES Sept., 2003
文章编号 1007 - 4252 ( 2003 ) 03 - 0285 - 06
nc - Si H 薄膜的内应力特性研究
1, 2 1 2 3 3 3
韦文生 王天民 张春熹 李国华 韩和相 丁 琨
, , , , ,
( 1. 北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心，北京 100083;
2. 北京航空航天大学光电技术研究所，北京 100083;
3. 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083 )
（ ）
摘要 测试了采用 生长的氢化纳米硅 薄膜的内应力。利用 、 、 、
PECVD nc - Si H XRD Raman AFM
HRTEM 研究了nc - Si H 薄膜的微结构，用全场薄膜应力测试仪测量了nc - Si H 薄膜的内应力。
结果表明： 薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关，强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂
nc - Si H
浓度的提高而增加；在一定功率密度范围内掺磷nc - Si H 薄膜的压应力随功率密度增加而减少，
并过渡为张应力；在 之间，掺硼 薄膜的压应力随衬底温度升高而增加；
373 - 523K nc - Si H nc -
Si H 薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。
关键词 薄膜 微结构 内应力
nc - Si H ; ;
中图分类号 TN304. 055 文献标识码 A
Study on intrinsic stress of nc - Si: H film
1, 2 1 2 3 3 3
WEI Wen - sheng , WANG Tian - min , ZHANG Chun - xi , LI Guo - hua ,
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