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·28· 材料导报A：综述篇 2011年9月(上)第25卷第9期
Znl--xMgxO薄膜及其P型掺杂的研究进展节
黄桂娟，孔春阳，秦国平
(重庆师范大学物理与电子工程学院，重庆400030)
摘要 Zn。一，Mg-O薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料，近年来一直受到广泛的关注。获得高质量稳定
的p型Zn,一，M＆0薄膜是实现其光电应用的关键。概述了Zn,一，Mgr()薄膜及其P型掺杂的研究现状，介绍了
Zn。一。Mgf0薄膜结构、光电性质及在光电领域的应用，并提出了有待进一步研究的问题。
关键词 Znl一：M缸。薄膜宽禁带半导体材料P型掺杂
Recent inResearchof of ThinFilms
Progress P—TypeDopingZnl--xMgxO
HUANGuan，KONG
Guij Chunyang，QINGuoping
of andElectrical Normal 400030)
(CollegePhysics Engineering，ChongqingUniversity，Chongqing
semiconductor filmshave muchattentionre—
AbstractAsanew attracted
wide-band-gap material，Zn,一，M＆0
of filmsisa forits inre—
cently．Preparutionhigh-qualityp-typeZni一，M＆0 keystep applications．Recentprogress
searchof of thinfilmsissummarizedandthe andelectrical of
p-type Zn,一，Memo structure，optical properties
doping
be solved
the filmsareintroduced．Someto further are
Zna一，Mg,O problems proposed．
words thin
Key Znl--xMg．，O films，wide-band-gapsemiconductor，p-typedoping
0引言 1 Zn，一。Mg．O合金薄膜的结构特性
ZnO薄膜是一种具有优异特性的宽禁带光电半导体材 Znl一，Mgr0三元合金由ZnO和MgO按照一定组分比
例固溶而成。Zn0是纤锌矿结构，六方晶系，晶格常数a=
料，其室温下禁带宽度为3．36eV，激子束缚能为60meV。高
于其它宽禁带半导体材料(inZnSe的激子束缚能为20meV，
GaN的激子束缚能为21meV)【1]，也远高于室温热能
离子半径[8J相近，zn2+和Mgz+在各自氧化物品格中互相替
(26meV)，具备了室温下发射蓝光或近紫外光的优越条
换形成ZnMgO替位式混晶引起的晶格畸变较小[9
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