钽在集成电路中应用.pdfVIP

第 卷 第 期 稀 有 金 属 ,! ’ 年 月 ,$$# ’ 0? * ,! @ * ’ /A2B9B CDE5+F DG 5+5B HB%+F9 C;I7;JK ,$$# ############################################################### 钽在集成电路中的应用! 潘伦桃 ，李 彬，郑爱国，吕建波，李海军，王秋迎 （宁夏东方钽业股份有限公司，宁夏 石嘴山!#$$$ ） 摘要：介绍了在硅基片上用钽溅射靶溅射沉积和用钽的化合物气相化学沉积钽基膜（金属钽、碳化钽、氮化钽、硅化钽、氮化硅化钽、氮化碳 化钽）作为集成电路中防止铜向基片硅中扩散的阻挡层，介绍了钽溅射靶的技术要求，加工方法以及化学气相沉积钽基薄膜的方法。 关键词：钽；阻挡层；钽溅射靶；化学气相沉积 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） %’() *( ’) + $,- . !$!) ,$$# $’ . $$,- . $! 钽是工业上的重要金属材料，它的熔点高，耐 的问题是电迁移和电阻高。铝导体内部的电迁移 腐蚀性好，应用在很宽的领域，主要用作电解电容 限制了集成电路使用寿命。因为高电流密度引起 器的烧结阳极的钽粉和钽丝，制做高温真空炉的 导体内部晶体缺陷，首先电阻逐渐增加，然后严重 发热体和保温层等结构材料以及化工防腐蚀材料， 损坏。由于半导体领域的进步，大规模集成电路向 高温合金、硬质合金和超级合金，在微电子上的应 超大规模集成电路转移，信号处理速度加快，要求 用有动态随机存取记忆的薄膜氧化物镀层的储存 传递信号的配线要细。要求用新的亚微米级材料 芯片，近年来发展了钽在集成电路中的重要应用。 来适应更新的结构。还有，随着计算机的演变，要 本文评述溅射钽靶材和钽的化合物的化学气相沉 求提高速度，增加功能，提高性能，要求芯片改变 积（ ）在集成电路中来形成钽基薄膜作为铜布 结构，引入多级互联配置，开发芯片的三维作用， /01 线阻挡层的应用。 减短互联导线的长度。要缩小芯片的外形尺寸，配 线的尺寸要进一步减小（ ，最小的 $ * , 3 $ * ’- 4 ’ 钽在集成电路上的应用 ! 尺寸只有$ * ’# 4 ），这就使得电阻增加，为了降 ! 集成电路（ ）为电气设备提供了信号传输通 低电阻，减小 （电阻电容）滞后，用导电性好的 2/ 5/ 道。集成电路中包含有许多在半导体的硅基体层 金属铜代替铝、钨，可以减少 的 滞后。一 ($ 6 5/ 里的有源晶体管，大量的金属“丝”把硅基片上的 般认为“丝”径（宽度）小于$ * , 4 就必须使用铜