微电子工艺课件第七章.pptVIP

7.5 硅烷热分解法外延 硅烷热分解法外延的化学反应式为 优点： ①反应是不可逆的，没有卤化物产生，不存在反向腐蚀效应。 ②反应温度较低，600℃以上即可发生分解反应，减弱了自掺杂效应和扩散效应，使界面两边的杂质浓度接近突变型分布。 ③硅烷热分解法外延过程中杂质玷污较少，硅烷纯度很高时可制备高电阻率的外延层。 存在的问题： ① SiH4可以在气相中自行分解，造成过早核化，对外延层的晶体结构产生重要影响，甚至生成多晶。 加大气体流量，选定合适温度，在反应气氛中加入适量的HCl，都可以减少气相核化的影响。 ②同其他氯的硅化物相比，SiH4非常容易氧化形成硅粉。 尽量避免氧化物质和水汽的存在，否则就会影响外延层的质量。 ③ SiH4热分解生长的外延层，其缺陷密度常常比SiCl4氢还原法外延的高。 ④对反应系统要求高。 硅烷热分解法外延虽然有上述问题，目前还是得到较为广泛的应用。 7.6 SOS技术 SOS是“Silicon on Sapphire”和“Silicon on Spinel”的缩写，是指在蓝宝石(?-Al2O3)或尖晶石(MgO·Al2O3)的衬底上进行硅外延的技术，并把电路作在硅外延层上。 SOS是SOI (Silicon on Insulator or Semiconductor on Insulator，在绝缘衬底上进行硅的异质外延) 技术中比较成熟的一种。 SOI技术的主要优点是： ①寄生电容小，对高速和高集成度的电路特别有利。在亚微米器件中，衬底浓度比常规MOS器件的衬底浓度高，寄生电容更大，因此随集成电路特征尺寸的缩小，SOI技术应用前景更好。 ②提高了器件的抗辐射能力。 ③抑制了CMOS电路的闩锁效应。 ④工艺比体硅CMOS工艺简单。 在绝缘体上异质外延单晶硅的设备和工艺与硅同质外延基本相同。为了得到好的外延层，要求衬底和Si的热膨胀系数与晶格常数相近。 由于所有绝缘体的热膨胀系数均比硅高，在单晶硅膜内产生应力，使外延层缺陷增多，从而影响外延层和器件的性能。热失配是影响异质外延生长的单晶硅膜的物理和电学性质的主要因素。 晶格失配将导致外延膜中的缺陷密度非常高，特别是当硅膜非常薄时，缺陷密度更高。 当硅膜厚度增加时，随着远离硅-蓝宝石界面，硅中的缺陷密度单调下降，也就是说缺陷不会贯穿整个外延层。这些缺陷可使界面附近的电阻率、载流子迁移率和寿命降低。 7.7 分子束外延 分子束外延(MBE，Molecular Beam Epitaxy)是一种在超高真空下的蒸发技术。它是利用蒸发源提供的定向分子束或原子束，撞击到清洁的衬底表面上生成外延层的工艺过程。 MBE是由贝尔实验室在改进真空蒸发工艺的基础上发展起来的，首先在GaAs外延生长中获得成功。 MBE设备主要由超高真空系统、生长系统及测量、分析、监控系统等组成。 大大降低了反应室内残余气体，保证了外延层的高纯度。 蒸发分子的自由程很大，分(原) 子束流可以不经散射直接从源到达衬底表面，对这样的束流可以瞬间完成关断，提高了对层厚控制的准确度，使生长的界面接近原子级尺度。 超高真空度的环境可以采用原位分析手段，实现对生长过程的监控。 一、超高真空系统 真空度1.33×10-8Pa以上，可选用的真空泵主要有机械泵，吸附泵，离子泵，低温泵，钛升华泵，涡轮分子泵等。 生长系统包括源和衬底两部分。 源：在MBE系统的生长室内装有数目不等的努森箱，即喷射炉，由坩埚、加热系统和控温系统组成。 坩埚由热解氮化硼或高纯石墨制成，用来放置高纯源或掺杂源； 外绕钨丝或钽丝进行电阻加热，或采用电子束加热； 控温系统控制加热温度，从而控制蒸发速率。 每个喷射炉均有一个快门，控制束流的通断和大小。 衬底：生长室内的衬底基座，是用来放置样品的，可以旋转和倾斜一定的角度，通过操作机构控制接送样品。衬底基座可对样品加温，保证衬底表面处于活性状态，温度范围一般为400-900℃。 二、生长系统 MBE装置中配有比较齐全的测量、分析、监控等设备，主要包括质谱仪，俄歇电子能谱仪，高能电子衍射仪，薄膜厚度测试仪，电子显微镜等。这是MBE的一个突出特点，正因如此MBE系统才能生长出高质量的外延层。 质谱仪MS：装在束流经过的路径上，可以监视分(原)子束的种类和强度，还可以测出真空中的残留气体。 俄歇电子能谱仪AES：可以提供表面化学成份的数据，测定外延层组分和杂质的剖面分布。 高能电子衍射仪HEED：由电子枪和接受电子的荧光屏组成，由电子枪出来的电子束入射到结晶表面，在荧光屏上显示出的表面衍射图像是与表面原子排列情况相对应的图像，解析这个图像可以知道外延层的结晶性