原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
[ 4 ] Zory P S. Quantum Well Lasers. London Academic Press : [ 8 ] Shtengel G, Temkin H. Appl. Phys. Lett. , 1994 , 64 :
1993. 73 —78 ,198 —203 1062 —1064
[ 5 ] 郑厚植. 半导体学报 ,1997 ,18 :481 —491 [ 9 ] Yamanishi M. Prog. Quant. Electron. 1995 ,19 :1 —39
[ 6 ] Yorkoyama H ,Nishi K ,Anan T et al . Opt. Quantum [ 10 ] Deppe D G, Huffaker D L . OPN Optics Photonics
Electron. ,1992 ,24 :S245 —S272 News ,1998 ,9 ( 1) :30 —33
[ 7 ] 章 蓓. 物理 ,1996 ,25 :652 —658
非易失铁电存储器的进展和若干问题
罗 维 根
( 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050)
摘 要 铁电薄膜与半导体集成 ,产生了新一代非易失存储器. 它的功耗之小 ,写入速度之快 ,可重写
次数之多以及抗辐照能力之强是目前任何一种半导体存储器所不及的. 文章介绍了非易失铁电存储器
的原理、特点、进展和应用 ,并讨论了这类存储器在进入大规模商业生产时所面临的若干材料、工艺和器
件失效等问题.
关键词 铁电薄膜 ,铁电随机存取存储器 ,非易失存储器
NON VOLATIL E FERROEL ECTRIC MEMORY AND RELATED ISSUES
Luo Weigen
( S hanghai Instit ute of Ceramics , The Chinese Academy of Sciences , S hanghai 200050)
Abstract The combination of ferroelectric thin films with integrated semiconductor chips has cre
ated a new generation of non - volatile memories. They are superior to all traditional non - volatile
memories in their low power consumption , high writing speed , high writing cycle endurance and
strong anti - radiation properties. This paper describes the principle ,characteristics ,development and
applications of non - volatile ferroelectric memories Related issues pertaining to ferroelectric thin
films ,processing technologies and device degradation should be solved before embarking on commer
cial production.
Key words ferroelectric thin film , ferroelectric random access memory , non - volatile memory
文档评论（0）