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化学气相沉积法制备GaN纳米线和纳米棒.pdf
152 功 能 材 料 2009 年第 1 期 40 卷
化学气相沉积法制备 GaN 纳米线和纳米棒
王 英 ,薛成山 ,庄惠照 ,王邹平 ,张冬冬 ,黄英龙
山东师范大学 半导体研究所 ,山东 济南 2500 14
摘 要 : 采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层 Ga O 和氨气的纯度不低于 99 . 9 % 。当管式炉的温
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NiCl2 薄膜 ,通过化学气相沉积法 CVD 制备出高质 度保持 1100 ℃左右恒定时 ,在管式炉恒温区 ,沿气流
量的 GaN 纳米线和纳米棒 。X 射线衍射 XRD 、傅立 的方向 ,依次放置 2g 的 Ga O 源和衬底 ,两者距离为
2 3
叶红外吸收光谱 F T IR 、选区电子衍射 SA ED 和高 1cm 。首先向炉腔 内通入流量为 1000ml/ min 的氩气
分辨透射电子显微镜 H R T EM 的分析结果表明 ,采 持续 5min , 以赶出残余的空气 。然后向炉腔内通入流
用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 单晶纳米线 。 量为 500ml/ min 氨气 ,氨化时间为 20min 。最后再通
通过扫描电镜 SEM 观察发现纳米线的形貌 ,纳米线 5min 流量为 1000ml/ min 的氩气以排除多余的氨气 。
的直径在 50 ～200nm 之间 , 纳米棒 的直径在 200 ～ 采用扫描电子显微镜 SEM , Hit achi S570 和高
800nm 之间。 分辨透射电子显微镜 H R T EM , Philip s T ECN A I20
关键词 : GaN 纳米结构 ;NiCl2 ;CVD 对样品进行形貌分析 。用 X 射线衍射 XRD ,
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