纳米非晶硅naSiHPin太阳电池.pdfVIP

第26卷第2期 太阳能学报 V01．26．No．2 2005年4月 ACTAENERGIAESOLARISSINICA ApL，2005 文章编号：0254J吣％(20惦)02硼187瞒 纳米非晶硅(na§i：H)p—i—n太阳电池 胡志华1’2，廖显伯1，刁宏伟1，曾湘波1，徐艳月1，孔光临1 云南师范大学太阳能研究所，昆明650092) (1．中国科学院半导体研究所，北京100083；2 隙氢化纳米非晶硅(na．si：H)薄膜，并将其用作pin太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计， 8．35％(AMl．5，100mW／cm2)。 关键词：纳米非晶硅；pin薄膜太阳电池；开路电压；PECVD 中图分类号：Tl(5l 文献标识码：A 料命名为Nanomo叩h。 O 引 言 本文报道了用等离子体增强汽相化学沉积 近年来，多孔硅(pomus．Si)以及含氧、含氮 稀释条件下获得具有光敏性的宽带隙非晶硅材料， 和氢化纳米晶硅(nc．Si：O、nc—Si：N、nc—Si：H)由 con6nement silicon(na 于量子限制效应(Quantum effect)引起本文称之为纳米非晶硅或nanomo印hous 晶体硅的能带结构发生改变，使其具有了较强的室 —Si)，区别于纳米晶硅一nanocrystallineslicon(nc— 温可见光发光特性，使人们看到了成熟并日益发展 si)。将这种宽带隙纳米非晶硅材料其用于制作 的硅基微电子工艺最终实现光电集成的希望。因 此，这类材料的研究倍受重视。但因这些材料一般 阳电池，电池初始开路电压(k)高达0．94V，同 都不具有光敏性，不适合用于pin结构太阳电池的 时还能保证0．72的填充因子(FF)。光电转换效率 本征层，因而较少有将这些材料应用于光伏器件的 报道。事实上，这些材料原则上也只适合用于太阳 l 实 验 电池的掺杂层。直到1999年SuktiHazm和swati 纳米非晶硅薄膜太阳电池是在三室(分装片室、 Ray[1，2]才报道了将氢化纳米硅用作pin结构太 阳电池的本征层，制备出了开路电压(k)为掺杂室和本征室)等离子体增强汽相化学沉积系统 o．93V，光电转换效率(％)为8．7％的太阳电池。中制备的。系统本底真空为6x10‘3Pa。所用衬底有 不过这里所说的纳米硅实际上是一种两相结构(di． 层膜的光学表征和PL谱测量。载人沉积系统之前， phase)材料。少量纳米尺度的结晶硅颗粒镶嵌于非 晶硅网络中，由于量子限制效应使得这种两相结构 衬底需用去离子水煮沸清洗。P型窗口层放电气体 材料具有纳米硅带隙宽和光致发光特性，同是由于 非晶相的存在又使得这种材料又具有较好的光敏 性，因而在提高光照稳定性的情况下，还能获得较 钟，生长时的压力、温度和功率密度分别为100帕、 好的光伏特性。suktiH犯ra和swatiRay将这种材 收稿日期：2003一lO-20 基金项目：中国科学院青藏高原综合观测研究站、中国科学院 寒区旱区环境与工程研究所创新项目(KZ2003111)； 国家重点基础研究发展规化项目(G1998040800) 万方数据 188 太 阳 能 学 报 26卷