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一种由聚甲基硅氧烷制备SiO 薄膜的简易方法1 2 * 张见，付猛，陈宏基 （暨南大学理工学院材料与科学工程系，广州 510632） 摘 要：本文报道一种由聚甲基硅氧烷制备SiO 薄膜的简易方法。以甲基三乙氧基硅烷为起 2 始物，经水解和缩聚反应合成聚甲基硅氧烷(MeSiO1.5)n ，在有机溶剂中配制成旋涂液后，经 旋转涂覆（spin-coating ）和热固成型制备了SiO2 薄膜。采用FT-IR、TGA 、GPC对聚甲基硅 氧烷及薄膜进行了结构表征。分析了聚甲基硅氧烷旋涂液的浓度、黏度及匀胶机的转速和时 间对涂膜效果的影响。并用场发射SEM对所得的薄膜进行了分析。结果表明：薄膜坚固、 耐热、致密高，在纳米尺度范围未出现裂缝和气孔。固可作为多孔SiO2 薄膜的基材。 关键词：聚甲基硅氧烷；旋转涂覆；SiO2 薄膜；基材 随着超大规模集成电路集成度的不断提高，芯片中导线密度的不断增加，线宽和间距的 不断减小，电阻-电容（RC）延迟问题也越加严重。解决问题的途径除改用电阻率小的铜导 线来代替铝导线之外，关键的是降低互连材料的介电常数。二氧化硅薄膜由于具备较低的介 [1-5] 。在二氧化硅薄膜的制备方法（如化学 电常数，广泛地受到了各国材料科技人员的重视 气相沉积CVD法、掺氟法和旋转涂覆Spin-Coating法）中，旋转涂覆法具有工艺简单、方便 的优点，今年来较授重视，而且以采用四乙氧基硅烷（TESQ ）为起始物的较多 [6] 。旋转涂 覆制备技术优点在于：一方面，由于介质材料所具有的液体的流动性，可将底部凹凸不平的 形貌改善，为高密度集成电路中的多层金属互连提供良好的平坦化，确保精细图形加工精度 的可靠性。另一方面，同其它介质一样，它也可以作为各种半导体元件的钝化膜，保护元件 [7] [8] 不受各种机械和化学侵害 。作为对薄膜材料的研究兴趣，在有机硅氧烷研究的基础上 ， 我们选用聚甲基硅氧烷来制备二氧化硅薄膜。 1 实验部分 1.1 主要试剂及原材料： 甲基三乙氧基硅烷 （国产CP 级），甲苯、4-甲基-2-戊酮等有机溶剂 （国产AR 级，使用 前蒸馏），去离子水，盐酸（36-38%，国产 AR 级），硅片（100 取向，中国科学院光机所）。 1.2 测试仪器及方法 FT-IR在德国 BRUKER公司EQIOMOX-55型傅立叶变换红外光谱仪上进行，KBr压片，在 1基金来源：广东省自然科学博士启动基金(No. 0430064)；暨南大学自然科学基金(No. 。 通讯作者简介：陈宏基,男，博士，暨南大学理工学院材料科学与工程系副教授，硕士生导师，主要从事无 机功能材料及功能配合物的研究, E-mail: thjchen@ -1- 400-4000 cm-1范围摄谱。TGA在上海仪器公司ZRY-2P型热重分析仪上进行，测试条件为固 o -1 o 体样品8.83mg，以10 C⋅min 的升温速率，在50~700 C温度范围测试。相对分子质量的测定 在美国Waters Breeze凝胶渗透液相色谱仪 (GPC) 上进行，以聚苯乙烯(PS) 作为标样, THF -1 o 为洗脱剂, 洗脱速率为 1 mL⋅min , 测试温度40 C。涂膜采用厦门凯美特科学仪器有限公司 KW-4A型匀胶机。