提高GaN基发光二极管外量子效率途径.pdfVIP

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2017-08-30 发布于安徽
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中国照明电器 15 2010 3 CHINA LIGHT ＆ LIGHTING 年第期提高GaN 基发光二极管外量子效率的途径李为军 ( ( )、、国家电光源质量监督检验中心上海国家灯具质量监督检验中心， 200233) 上海时代之光照明电器检测有限公司上海摘要 (LED) LED ， GaN LED 发光二极管的低外量子效率严重制约了的发展本文主要介绍了提高基， / 、 (DBR) 外量子效率途径的最新进展包括芯片非极性面半极性面生长技术分布布拉格反射层结、 LED LED 、，构改变基底几何外形来改变光在内部反射的路径表面粗化处理以及新近的光子晶体。 SU8 LED 技术和全息技术等并对纳米压印与相结合技术在提高外量子光效率方面进行了初步探索。 / (DBR) 关键词外量子效率芯片非极性面半极性面生长技术分布布拉格反射层结构光子晶体技术和全息技术纳米压印技术与SU8 技术 Improvement of the External Quantum Efficiency of GaN － based LEDs Li Weijun (National Light Source Quality Supervision Testing Center (Shanghai)，China National Lighting Fitting Quality Supervision Testing Center ，Shanghai Alpha Lighting Equipment Testing Ltd. ，Shanghai 200233) Abstract :The low external quantum efficiency ties up the development of LEDs. This article mainly introduces recent research progress of increasing the external quantum efficiency of GaN-based LEDs. The ways of improvement mainly include that micro-surface roughening ，mi