用改进Rymaszewski公式及方形四探针法测定微区方块电阻.pdfVIP

第 53 卷 第 8 期 2004 年 8 月 物 　理 　学 　报 Vol . 53 ,No . 8 ,August ,2004 ( ) 10003290200453 08 246106 ACTA PHYSICA SINICA 2004 Chin . Phys. Soc . 用改进的 Rymasze wski 公式及方形四探针法 测定微区的方块电阻 刘新福 　孙以材 　张艳辉 　陈志永 (河北工业大学微电子技术与材料研究所 ,天津 　300130) (2003 年 5 月 29 日收到 ;2003 年 11 月 13 日收到修改稿) 　　提出用改进的Rymaszewski 公式并使用方形四探针法测试无图形大型硅片微区薄层电阻的方法 ,从理论上推导 出方形四探针产生游移时的Rymaszewski 改进公式 ,讨论探针游移对测试结果的影响. 制定出可操作的测试方法 ,对 实际样品进行测试验证 ,并绘制了等值线图. 关键词 : 四探针技术 , 方形四探针 , 微区电阻 , 探针游移 PACC : 0750 , 0270 , 0660 π π 2 V1 2 V2 exp - + exp - = 1 , ( 1) 1 引 言 IR s IR s π V1 + V2 V1 R s = f , (2) [ 1] ln2 I V2 半导体电阻率的常规直线四探针测试方法 和 Rymaszewski 法[2 ] ( ) 式中 , R s 为样品的薄层电阻 , V1 和 V2 分别是在 A , 有的称为双 电法 均要求四根探 针成一直线 ,而实际上探针在测量的样品上产生游 B , C , D 四个探针顺序排成直线的情况下 ,两次测 移 即横 向或 纵 向 的移 动 是 难 以避 免 的 , 尽 管 量中的 C , D 和 B , C 探针间的电压 , I 为两次测量 Rymaszewski 法抑制偏移或游移的能力在一定程度 过程中探针A ,B 和探针A , D 分别注入测试样品的 ( ) 电流 ,f ( V V ) 是范德堡函数[7 ] . 文献[ 8 ]考虑了四 上优于传统四探针法 ,但仍然存在横向 任意 游移 1 2 的影响问题. 改进的范德堡法[3 ,4 ] 是在规定了测试图 形的样品内进行的 ,优点是测试的微区尺寸比直线 四探针方法小 ,但不能超出图形的边界测量 ,而且对 所测样品需要专门制备光刻图形. 为此 ,我们专门研 究了用方形四探针法解决大型硅片无图形情况下样 品中微区电阻率的测试问题. 这对于分析样品的均 匀性以及微区的电特性有重要意义 , 同时与最终器 件的性能密切相关[5 ,6 ] . 我们推导出方形四探