光致电化学法提高垂直结构发光二极管出光效率研究.pdfVIP

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2017-08-30 发布于安徽
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光致电化学法提高垂直结构发光二极管出光效率研究.pdf

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光致电化学法提高垂直结构发光二极管出光效率的研究弓志娜云峰丁文张烨郭茂峰刘硕黄亚平刘浩王帅冯仑刚王江腾 Increaseinlightextractionefficiencyofverticallightemittingdiodesbyaphoto-electro-chemicaletching method GongZhi-Na YunFeng DingWen ZhangYe GuoMao-Feng LiuShuo HuangYa-Ping LiuHao WangShuai FengLun-Gang WangJiang-Teng 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,018501(2015) DOI: 10.7498/aps.64.018501 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.018501 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I1 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 室内可见光通信发光二极管阵列发射性能的研究 Researchonthelightemittingdiodearraylaunchingperformance for indoor visiblelight communication 物理学报.2014,63(23): 238503 /10.7498/aps.63.238503 基于反应动力学的GaNLED参数退化模型的研究 TheinvestigationofLEDdegradationmodelbasedonthe chemical kinetics 物理学报.2013,62(21): 218503 /10.7498/aps.62.218503 白光发光二级管用红色荧光粉LiSrBO : Eu 的制备与发光性能研究 PreparationandphotoluminescenceofLiSrBO :Eu red-emittingphosphorsforwhiteleds 物理学报.2013,62(10): 108504 /10.7498/aps.62.108504 基于缺陷光子晶体结构的GaN基发光二极管光提取效率的有关研究 Study on the light extraction efficiency of GaN-based light emitting diode by using the defects of the photoniccrystals 物理学报.2012,61(20): 208502 /10.7498/aps.61.208502 渐变型量子阱垒层厚度对GaN基双波长发光二极管发光特性调控的研究 The investigation of performance improvement of GaN-based dual-wavelength light-emitting diodes with variousthicknessofquantumbarriers 物理学报.2012,61(17): 178504 /10.7498/aps.61.178504 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 1 (2015) 018501 光致电化学法提高垂直结构发光二极管出光效率的研究弓志娜云峰丁文张烨郭茂峰刘硕黄亚平刘浩王帅冯仑刚王江腾 1)(西安交通大学, 电子物理与器件教育部重点实验室, 陕西省信息光子技术重点实验室, 西安 710049) 2)(西安交通大学固态照明工程研究中心, 西安 710049) 3)(陕西新光源科技有限责任公司, 西安 710077)