硅太阳能电池制造工艺.docVIP

增大字体 增大字体 多晶硅铸锭炉 多晶硅铸锭炉主要用于太阳能级多晶硅锭的大生产，它采用先进的多晶硅定向凝固技术,将硅料高温熔融后通过特殊工艺定向冷凝结晶,从而达到太阳能电池生产用多晶硅品质的要求，是一种适用于长时间连续工作，高精度、高可靠性、自动化程度高的智能化大生产设备。 ? 制绒清洗机(中国电子科技集团公司第四十八研究所产品)主要用于太阳能电池生产线上硅片扩散前硅片表面的油类分子、金属杂质、机械损伤层的去除及金字塔绒面制作.是一条集清洗、腐蚀、干燥为一体的全自动综合清洗工艺线。本设备采用红外灯管加热，温度响应迅速，温度均匀性好。 单晶炉 ? ? ? 主要用途:CZ800-A、CZ900A型单晶炉，是一种软轴提拉型单晶炉，在惰性气体（氩气）的保护环境中，以石墨电阻加热器，将多晶硅材料熔化，用直拉法生长无错位单晶棒的设备。 主要技术特点:真空保持稳定，重要的密封部位采用先进的磁流体密封技术；机构运行平稳，主要运行部件采用进口高性能电机和高精度传动机构；主炉室和副炉室之间采用插板阀连接，有效降低炉体高度，降低厂房要求和减小籽晶轴的晃动；主炉室与副炉室升降采用三相异步电机驱动，安全可靠；完全具有自主知识产权的控制系统，以高性能进口PLC为控制核心，外加工业级PC监控拉晶过程，性能可靠，避免死机现象发生；先进的串级控制算法，精确控制温度和拉速，实现高精度的晶体生长；全进口低压电气元件，保护灵敏可靠，维护方便；触摸屏操作界面简洁、友好，控制过程可视性强，工艺曲线编辑方便；单晶炉专用数字控制电源系统，空载电流小，能耗低。 硅太阳能电池制造工艺流程图 ? 1、硅片切割，材料准备： 工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（掺硼）。 2、去除损伤层： 硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。 3、制绒： 制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟。对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。 4、扩散制结： 扩散的目的在于形成PN结。普遍采用磷做n型掺杂。由于固态扩散需要很高的温度，因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。 5、边缘刻蚀、清洗： 扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边。 扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。 6、沉积减反射层： 沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。广泛使用PECVD淀积SiN ,由于PECVD淀积SiN时,不光是生长SiN作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用,可用于大批量生产。 7、丝网印刷上下电极： 电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，它不仅决定了发射区的结构，而且也决定了电池的串联电阻和电池表面被金属覆盖的面积。，最早采用真空蒸镀或化学电镀技术，而现在普遍采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正背面，以形成正负电极引线。 8、共烧形成金属接触： 晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触。在太阳电池丝网印刷电极制作中，通常采用链式烧结炉进行快速烧结。 9、电池片测试： 完成的电池片经过测试分档进行归类。