PECVD氧化及设备 集成电路工艺课件.pdf

PECVD 氧化原理与工艺 钟 飞 2009-9-28 1 主要内容 PECVD 原理与工艺 CVD 原理 PECVD设备 PECVD 工艺 PECVD 样品准备 氧化原理与工艺 氧化机理 干氧氧化 湿氧氧化 火焰式湿法氧化 2009-9-28 2 CVD 原理 CVD 定义 CVD 传输及反应步骤 CVD 特点 CVD分类 2009-9-28 3 CVD 原理 CVD 定义 CVD 传输及反应步骤 CVD 特点 CVD分类 2009-9-28 4 CVD 定义 定义： 化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition, CVD) 是指以 单独的或综合的利用热能、等离子体放电、紫外光照射等形 式的能量，使气态物质在固体的表面上发生化学反应并在该 表面上沉积，形成稳定的固态薄膜的过程。 应用： 介质薄膜（例如 SiO2、SiNx等） 半导体薄膜（例如 GaAs 、GaN等） 导体薄膜（例如钨） 2009-9-28 5 CVD 原理 CVD 定义 CVD 传输及反应步骤 CVD 特点 CVD分类 2009-9-28 6 CVD 传输及反应步骤图 1)反应物传 输 CVD反应器 气体传输 7)副产物的脱附 2)生成次生分 8)副产物移除 子 副产物 出口 3)次生分子扩 散 5)次生分子在衬 6)表面反应 连续薄膜 底表面扩散 4)次生分子吸附 衬底 2009-9-28 7 圖11.8 CVD 原理 CVD 定义 CVD 传输及反应步骤 CVD 特点 CVD分类 2009-9-28 8