铜在硝酸介质苯并三唑抛光液中化学-机械抛光时的电化学行为.pdfVIP

第2 卷 第1 期 过 程 工 程 学 报 Vol.2 No.1 2002 年 2 月 The Chinese Journal of Process Engineering Feb. 2002 铜在硝酸介质苯并三唑抛光液中 化学-机械抛光时的电化学行为 1 2 1 何捍卫 ， 胡岳华 ， 黄可龙 (1. 中南大学化学化工学院, 湖南 长沙 410083; 2. 中南大学矿物工程系, 湖南 长沙 410083) 摘 要: 用电化学测试技术研究了硝酸、苯并三唑及H O 浓度对铜表面的成膜及铜抛光过程的影响. 2 2 测试了各种体系中铜的交流阻抗及其影响因素，探讨了腐蚀电流密度与抛光压力、抛光转速的关 系，考察了化学−机械抛光过程中腐蚀电位及极化曲线的变化规律. 用腐蚀电流密度及腐蚀电位等 电化学变量的变化解释了抛光过程的电化学机理，证明在硝酸溶液介质中，以苯并三唑为成膜剂、 H O 为助剂、纳米γ −Al O 为磨粒的抛光液配方是可行的. 2 2 2 3 关键词：铜；化学−机械抛光；苯并三唑；电化学行为 中图分类号：O69; O646.6 文献标识码：A 文章编号： 1009−606X(2002)01−0067−04 1 前 言 化学−机械抛光 (Chemical-mechanical polishing, CMP)技术是目前最重要的全局平面化技术， 也是芯片上内联线表面全局平面化的唯一技术. 其中抛光液的配方是关键，要求抛光速率快、抛 光均一性好及抛光后清洗方便. 抛光液的成份主要由三部分组成：腐蚀介质、成膜剂及助剂. 国外 从80 年代初就注重这一技术的研究和开发，但抛光液的配方一直作为商业秘密，公开发表的文献 [1−3] [4, 5] 不多 . 苯并三唑(BTA)是铜的缓蚀剂，对其缓蚀效率及缓蚀机理的研究较多 ，而对其在铜抛 光液中的应用及对CMP 过程的影响少见报道. 铜表面的抛光，仅靠磨粒的磨损达不到全局平面化 效果，将在铜表面留下许多刮痕；仅靠化学腐蚀后将留下许多蚀斑，同样不能满足要求. 只有将 化学腐蚀与机械磨损结合起来才能达到全局平面化效果. 此时的化学腐蚀主要是在铜表面形成缓 蚀膜，其作用主要是保护凹处不被进一步腐蚀，磨粒的作用主要是对凸处表面膜进行机械磨损. 另 外，表面缓蚀膜的形成降低了表面硬度，使机械磨损更容易. 如此循环，直到全局平面化. 针对铜 的特性，本文用电化学测试技术研究了在硝酸溶液介质中，以BTA 为成膜剂、H2O2 为膜稳定剂， 铜表面化学−机械抛光时的电化学行为. 2 实 验 主要试剂：硝酸，BTA ，γ −Al O 磨粒(15∼45 nm). 所用试剂均为分析纯，水为高纯水. 2 3 主要分析仪器：EGG Model 273A Potentiostat/Galvanostat 测量腐蚀电位及极化曲线， Model352 Corrosion Analysis Software 处理数据；EGG Model 52 10 Lock-in Amplifier 测量交流阻 抗，PARC M388 Software 处理交流阻抗数据；Ring-Disk Electrode 636(U.S.)作抛光实验机. 2, 实验前用 实验方法：实验在圆盘电极上