制程升级 产能跃进311地震对全球记忆体产业影响有限.pptVIP

東芝與爾必達記憶體生產基地皆已全面復工 爾必達廣島廠 地點：日本廣島縣 主要業務：DRAM製造 月產能：13萬片12吋晶圓 東芝四日市工廠 地點：日本三重縣四日市 晶圓廠： Fab3：11萬片12吋晶圓/月 Fab4：15萬片12吋晶圓/月 Fab5：預計2011年完工 主要產品：NAND Flash 目前狀況： 雖已全面復工，但可能 因為交通與物流系統受 受導致出貨延誤。 目前狀況： 微顯影機台雖受地震 影響需重新調整與設 定，但目前已全面復 工。 資料來源：DIGITIMES，2011/3 信越白河廠與SUMCO米澤廠皆尚未復工 資料來源：DIGITIMES，2011/3 SUMCO生野廠 地點：兵庫縣 SUMCO米澤廠 地點：山形縣 信越白河工廠 地點：福島縣 三益半導體 地點：群馬縣 長野電子工業 地點：群馬縣 信越半導體白河工廠 月產能80萬片 22% 信越半導體 其他廠 月產能40萬片 11% SUMCO 月產能105萬片 29% others 月產能139萬片 38% 目前狀況：尚未復工 目前狀況：尚未復工 目前狀況：正常運作 目前狀況：正常運作 目前狀況：正常運作 SUMCO佐賀廠 與伊萬里廠 地點：九州佐賀縣 目前狀況：正常運作 2004~2010年半導體用矽晶圓出貨面積變化 單位：百萬平方吋 單位：% 資料來源：DIGITIMES，2011/3 2004~2010年全球矽晶圓產業產值與平均銷售單價變化 單位：百萬美元 單位：美元/平方吋 資料來源：DIGITIMES，2011/3 2001~2010年信越半導體12吋矽晶圓月產能變化 單位：萬片/月 資料來源：DIGITIMES，2011/3 2010~2011年主要DRAM供應商位元成長率 資料來源：DIGITIMES，2011/3 單位：% 46nm→36nm 44nm→38nm 63nm→40nm 50nm→42nm 2011年NAND Flash出貨量年成長78% Fab-5預計2011年春季可望完工，全數產能製程將從2x nm製程起跳 Toshiba 四日市廠 Fab-5 2011年NAND Flash製程 由3x nm世代升級至2x nm世代 資料來源：DIGITIMES，2011/3 YoY 78% 單位：16百萬GB 311地震對全球記憶體產業影響有限 標準型 DRAM Specialty DRAM Mobile DRAM NAND Flash 製程升級帶動 產能增加 供過於求壓力增加 矽晶圓需求量減少 製程升級 新產能開出 矽晶圓需求量增加 但幅度有限 若矽晶圓小幅缺料，對記憶體產業影響相對小 資料來源：DIGITIMES，2011/3 2011年3 月11日下午日本東北地方三陸外海發生震度高達芮氏9.0級強震，除讓離震央最近的福島縣、宮城縣受創尤為嚴重外，位於福島縣核電廠受損所造成幅射外洩及停電所帶來後續災害至今仍帶來諸多問題。 日本為全球僅次於南韓的記憶體生產重鎮，也因此，在這次震災後的第1個交易日，包括DRAM與NAND Flash等記憶體產品，在現貨市場(Spot Market)報價皆同步上揚，其中，尤以32Gb MLC的NAND Flash單日漲幅高達20.5%最為驚人，16Gb MLC的NAND Flash單日漲幅亦達16.8%。至於原本價格處於跌勢的DRAM產品單日漲幅也多在7%以上，這也意味著本次日本大地震對全球記憶體市場造成某種程度衝擊。 除因對記憶體廠商產能受損所造成的疑慮外，全球最大矽晶圓供應商信越化學旗下信越半導體，其主要矽晶圓生產線設置於本次震災受損最重的福島縣境內，對於全球記憶體產業上游供應鏈是否會發生供料不足問題，亦將是未來觀察重點。 * 全球NAND Flash市場產值從2008年114億美元成長至2010年191.7億美元，其中，東芝(Toshiba)僅次於三星電子(Samsung Electronics)，為全球第2大NAND Flash供應商。 東芝來自NAND Flash營收貢獻從2008年32.1億美元成長至2010年66.5億美元，NAND Flash市場的全球市佔率則從2008年28%上升至2010年35%，不但與三星間的差距有所縮短，亦顯示東芝對全球NAND Flash市場的影響力與日俱增。 * 爾必達為全球第3大DRAM供應商，產出規模僅次於三星與海力士(Hynix)，2008~2010年全球市佔率維持在16%~18%間，對全球DRAM市場亦具相當程度影響力。 爾必達除擁有位於日本廣島的廣島廠13萬片12吋晶圓的月產能外，尚擁有位於台灣台中的瑞晶電子8萬片12吋晶圓月產能，2011年第1季瑞晶電子產能將全數從63nm製程升級至40nm製程，將有利於2011年爾必達出貨量成長與