适用于串联电路高压IGBT暂态机理模型分析.pdfVIP

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2017-08-28 发布于安徽
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2014台达电力电子新技术研讨会 PERET 适用于串联电路的高压IGBT暂态机理模型清华大学电机系电力电子与新能源技术研究室姬世奇 2014年5月主要内容 PERET 1. 引言 2. 现有高压IGBT模型介绍 3. 串联高压IGBT模型改进 4. 串联高压IGBT模型的实验验证 5. 总结 2 1. 引言 PERET  器件串联：低电压等级开关实现高电压等级变换器  Si-IGBT最高电压等级为6.5kV  变换器电压等级要求非常高（ABB ±500kV HVDC-Light ）  串联器件均压  实现暂态均压的辅助电路和控制策略设计  串联高压IGBT暂态分析  高压IGBT模型  现有IGBT模型的实现及尿限性  如何建立描述串联IGBT暂态的模型 3 2. 现有高压IGBT模型介绍 PERET  各个元胞一致性很好  建模等效于一个大元胞发射极门极发射极 N+ N+ P+ P+  两电平变换器耗尽层  多个元胞并联 N- P+ 集电极空穴电流电子电流  IGBT模块  三个芯片并联 4 2. 现有高压IGBT模型介绍 PERET  基区结构：PT、NPT、FS  门极结构：Planar、Trench