基于Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的白光LED的研究进展.pdfVIP

文章编号： 1672—8785(2010)02—0008—06 基于 II~·VI族半导体量子点的白光 LED的研究进展 乐 阳 孙 艳 陈 鑫 戴 宁 (中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 200083) 摘 要：作为发光可覆盖整个可见光波段 的发光材料，Ⅱ一Ⅵ族半导体量子点 自上世 纪90年代 以来一直是构筑白光发光二极管 (LED)的关键材料之一。本文主要介绍基于 缺陷态发光、单源二色互补发光、三基色复合发光和光致发光等发光原理的半导体量 子点的白光LED，并比较了不 同类型器件的特点。凭借发光效率等主要性能参数的优 势，基于GaN基蓝紫光与量子点荧光粉组合得到的白光LED将最有可能首先实现商业 化应用。而在高清显示技术方面，结合微接触印刷技术的三基色复合 白光 LED具有潜 在应用价值。最后简要介绍在提高白光 LED发光效率方面的进展。 关键词：硒化镉；半导体量子点；核壳纳米结构；白光 LED 中图分类号：TN312+．8 文献标识码：A DOI：10．3969／j．issn．1672—8785．2010．02．002 ProgressofW hiteLight—Em ittingD iodesBased on II-VISemiconductorQuantum Dots YUEYang，SUNYan，CHENXin，DAINing (NationalLaboratoryforInfraredPlsics，ShanghaiInstituteofTechnicalPhysiCS ChineseAcademyofSciences，Shanghai200083，China) Abstract： Sincethe1990s，asaluminescentmaterialwhichisusefulinthewholevisiblewaveband， theII—VIsemiconductorquantum dothasbeenoneofthekeymaterialsforwhitelight—emittingdiodes (LED)．ThewhitequantumdotLEDsbasedontheluminescentprinciplessucha8defectstateemission， singlesourcebinarycomplementaryemission，mixedtricolouremissionandpholuminescencearepresented mainlyandcomparedwitheachother．BecauseofthepredominanceinluminescentefficiencyandSOon， thewhiteLEDsbasedOUGaN blue—violetlightandquantum dotfluorophoreswillbemostlikelyusedin commercialapplications．Intheaspectofhighresolutiondisplays，themixedtricolourwhiteLEDsusing microcontactprintingarepromised potentially．Finally,theimprovementofwhiteLEDsinluminescent efficiencyispresentedinbrief． Key words： CdSe；semiconductorquantum dots；core—shellnanostructure：whiteLED 1 引言 冷光源，具有低阈值 电压、高亮度、低能耗、长寿 命、结构紧凑、体积小、重量轻、响应快、无辐 白光发光二极管 (WLED)是一种新型固体