降低晶圆粘片率提高平均故障间隔.pdfVIP

壹黉 $…C!EN…CE T ECHNOLOGY AN辩Uj＆ j妻1：l科。。 园 降低晶圆粘片率 王 摘 要：在半导体制造工艺中，铝因其低 电阻率以及与硅和硅片制造工艺的兼容性而被作为互连材料广泛应用。 在生产过程中．晶圆粘片现象是影响平均故障间隔(MTBF、)的一个主要问题。因为在强直流等离子体的 作用下，晶圆很容易粘在工艺腔 中的零甸j件上，从而导致产品良率降低甚至报废 。本文对造成 晶圆粘片 的各种因素进行研究和分析，通过改进硬件，降低了晶圆粘片的发生率，进而提高了平均故障间隔。 关键词 ：铝 晶圆粘片 平均故障间隔(MFBF) 正好镀到锁紧圈和品圆接触的地方，粘片就发生了。 一 、 前言 对于发生了粘片的晶网，根据所粘程度的不同，轻者 金属化是芯片制造过程中，存绝缘介质薄膜上淀积金属薄 该片良率降低，重者导致报废。此外，对于发生了粘片的 膜，以及随后刻印图形以便形成互连金属线和集成电路的孑L填 腔．必须南工程师对其进行保养和更换零部件，从而缩短 充塞的过程。而铝作为传统的互连导线，在世界上大多数半导 台的平均故障间隔(MTBF)，降低了机台的可利用率(Avai 体T艺中被广泛应用。由于铝是在高温高直流腔体中进行溅 Time)，直接影*1T生产进度。 射，当T艺腔连续生产时，大功率的等离子体(Plasma)会产生大 二、实验 量的热，引起腔体内的零部件特别是和品网直接接触的锁紧罔 (ClampRing)N)~持续升高。此时，之前镀在零部件上的铝会有 1．实验系统 软化的现象，甚至在局部有融化的可能。如果这些铝有一部分 本文中的铝气相淀积工艺在应用材料公 (AppliedMa · + + n+ + 一+ 一+ 一+ -·+ *+ 一+ 一+ 一+ ··+ “+ 一+ ”+ 一+ 一+ ··+ ”+ 一+ 一+ 一+ 一+ 一+ ·+· 一+ -+ + ··+ 一+ ”+ 一+ 一+ -+ --4-*+ -+ -+ ·+ ．-．t+ -+ -+ -+ -+ 进行预处理．其巾活动用户识别器对活动用户数和观测矩阵的 K和识别用户数 以及确定出观测矩阵C和期望的解扩 估计，对头部数据的解密，而有效用户识别器对有效用户数和 。估值方法的原理主要采用了基于子空间的多信号分类 扩频码字组的确定。 (Subspace—Based—MUSIC)。 实验中AdHoe网络所有结点通信方式都是半双T通信： 2．基于子空间的有效用户识别及差分极大算法 网络中的结点总数i为 ；网络中处于发送信息状态的结点即 通常信号的功率要大于背景白噪声功率，得到排序后J 活动用 (ActiveUscr)数 为 ；对于某指定接收机来说．K个 征向量{ = + )，．当观测期间没有活动用户K=0 活动用户中确实发往陔指定接收机的用户数即该指定接收机 有的特征向量将近似为 ．因此有 的有效用户 (VirtualUser)数 为L(L≤)；此外，扩频处理增益 7∑t： ~＼