基于功率MOS线性高压放大器设计.pdfVIP

张 浩等：基于功率MOS线性高压放大器设计 基于功率MOS线性高压放大器设计 张 浩 ，王立新 ，陆 江 ，刘 肃 (1．中国科学院 微电子研究所 北京 100029；2．兰州大学 物理科学与技术学 院 甘肃 兰州 730000) 摘 要 ：为了实现时输 出高压的线性控制 ，基于功率MOSFET的电学特性 ，运用 NMOS功率管设计一种新结构 的高压 运算放大器，通过模拟仿真和实验测量结果表 明，当输入 电压为0～5V 时，电路可实现 0～5OV 的线性输 出，并且通过加入 PMOS功率管进一步改进 电路 ，可得到正负高压 的输 出，模拟仿真为一140～+14OV，这表 明所设计 的电路线性度高 ，可以 满足 高压运放的要求，且制作成本低 ，对现代通信 中的大功 率驱动具有重要意义。 关键词 ：功率MOSFET；线性高压 ；运算放大器；功率驱动 中图分类号 ：TN722．7 文献标识码 ：B 文章编号 ：1004—373X(2010)02—010—02 DesignofLinearHighVoltageAmplifierBased onPowerM oSFET ZHANG Hao ，WANG Iixin 。LU Jiang ．LIU Su (1．TheInstituteofMicroe[ectronics．ChineseAcademiyofSciences．Beijing，100029，China； 2．SchoolofPhysicalScienceandTechnology．LanzhouUniversity，Lanzhou，730000，China) Abstract：Inorderto achievethelinearcontrolofhigh—voltageoutputinoperationalamplifier，％asedontheelectrical propertiesofpowerMOSFET，ahigh—voltageoperationalamplifier isdesigned with new structurewith powerNMOS． Through simulationandexperimentalresults．thelinearoutputvoltageis0～ 5OV canbeachieved．whentherangeoftheinput voltageisO～5V．AndwiththefurtherimprovementbyutilizingpowerPMOS，theoutputvoltageis一14O～ +140V canbe acquired，whichindicatesthehighlinearity，andwithlow cost，theneedsofhighvoltageoperationalamplifiercanhemet．There iSsignificanceinthehighpowerdrivingofmoderncommunication． Keywords：powerMOSFET；linearhighvoltage；operationalamplifier；powerdrive 高压晶体管 ，需要短的重掺杂背栅和宽的轻掺杂漂移 0 引 言 区。由于外延层厚度决定了漂移区的宽度 ，因此也决定 高电压放大器已经广泛应用于通信 、信号检测、功 了晶体管的工作电压，其漏源电压公式为[4]： 率驱动等方面_l1j，并且已成为下一代无线通信系统的关 VDs一 (RJEFT+RAcc+RFP)IMos+ Vf (1) 键技术之一 。采用各种手段和方法实现放大器高效率 式中：RIlFE为结型场效