四种软开关BOOST电路的分析与仿真(图清晰).pdfVIP

四种常用 BOOST 带软开关电路的分析与仿真 （图清晰） 软开关的实质是什么？ 所谓软开关，就是利用电感电流不能突变这个特性，用电感来限制开关管开通过程的 电流上升速率，实现零电流开通。利用电容电压不能突变的特性，用电容来限制开关管关 断过程的电压上升速率，实现零电压关断。并且利用LC谐振回路的电流与电压存在相位差 的特性，用电感电流给MOS结电容放电，从而实现零电压开通。或是在管子关断之前，电 流就已经过零，从而实现零电流关断。 软开关的拓扑结构非常多，每种基本的拓扑结构上都可以演变出多种的软开关拓扑。我们 在这里，仅对比较常用的，适用于APFC电路的BOOST结构的软开关作一个简单介绍并作仿 真。 我们先看看基本的BOOST电路存在的问题，下图是最典型的BOOST电路： 假设电感电流处于连续模式，驱动信号占空比为D。那么根据稳态时，磁芯的正向励 磁伏秒积和反向励磁伏秒积相同这个关系，可以得到下式： VIN×D=(VOUT-VIN)(1-D)，那么可以知道：VOUT=VIN/(1-D) 那么对于BOOST电路来说，最大的特点就是输出电压比输入电压高，这也就是这个拓 扑叫做BOOST电路的原因。另外，BOOST电路也有另外一个名称：upconverter，此乃题外 话，暂且按下不表。 对于传统的BOOST电路，这个电路存在的问题在哪里呢？我们知道，电力电子的功率 器件，并不是理想的器件。在基本的BOOST电路中： 1、当MOS管开通时，由于MOS管存在结电容，那么开通的时候，结电容COSS储存的 能量几乎完全以热的方式消耗在MOS的导通过程。其损耗功率为COSSV2fS/2，fS是开关频 率。V为结电容上的电压，在此处V=VOUT。（注意：结电容与静电容有些不一样，是和MOS 上承受的电压相关的。） 2、当MOS管开通时，升压二极管在由正向导通向反偏截止的过程中，存在一个反向恢 复过程，在这个过程中，会有很大的电流尖峰流过二极管与MOS管，从而导致功率损耗。 3、当MOS关断时，虽然有结电容作为缓冲，但因为结电容太小，关断的过程电压与电流有 较多的重叠，也产生一定的关断损耗。 下面我们来仿真一下最基本的BOOST电路。因为BOOST电路的输入端是个大电感，在稳态 工作时，电流基本不变，所以，在稳态时可以用电流源来代替。而输出因为是大的滤波电 容，稳态时，电容电压基本不变，故而在稳态时可以用电压源来代替输出电容。所以，我 们可以在saber的环境下，得到这个电路： 我们进行瞬态分析，得到下图结果： 从图上可以看到： 1，MOS管在开通时，可以看到miller效应在驱动信号上造成的平台。 2，当MOS管开通时，在MOS的漏极和二极管上产生很大的尖峰电流。 从仿真结果来看，的确存在我们前面分析的容性开通、反向恢复等问题。 那么软开关就能解决这个问题吗？ 下面我们先推出今天的第一个软开关的例子： 此电路是我以前分析一华为通信电源模块时所见。 在这个电路中，我们主要增加了一个50uH电感、一个1000pF电容、一个辅助开关管 HGTG30N60B3、一个钳位二极管MUR460等功率器件。 进行瞬态分析，我们得到如下结果： 在此图中，ga为辅助开关管驱动信号，g为主开关管驱动信号。ia为辅助开关管集电 极电流信号，