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电子束光刻技术研究 摘要：介绍了纳米加工领域的关键技术——电子束光刻技术及其最新进展。简要 介绍了电子束光刻技术和目前这种技术所存在的技术缺陷和最新的研究成果和 解决办法，如：关于邻近效应的解决，关于电子束高精度扫描成像曝光效率很低 的问题，如电子束与其他光学曝光系统的匹配和混合光刻等问题，以及关于抗蚀 剂工艺的最新进展等。 关键词：电子束光刻技术 邻近效应 电子束高精度扫描成像 电子束与 其他光学曝光系统的匹配 混合光刻 抗蚀剂工艺 Abstract: This paper introduces the key technology—— electron beam lithography technology and the latest developments in the field of nanofabrication. A brief introduction and electron beam lithography technology currently exists drawback of this technology and the latest research results and solutions, such as: the effect on neighboring settlement, on the low-precision electron beam exposure scanning imaging efficiency issues, such as electron beam mixing and matching and other optical lithography exposure system and other issues, as well as the latest developments on the resist process and the like. 一：概述 电子束光刻与传统意义的光刻(区域曝光)加工不同，其设备如图1所示，它 是利用电子束在涂有电子抗蚀剂的晶片上直接描画或投影复印图形的技术。电子 束光刻机与SEM(扫描电子显微镜)的原理基本相同，电子束被电磁场聚焦成微细 束照到电子抗蚀剂(感光胶) 上，由于电子束可以方便地 由电磁场进行偏转扫描，复 杂的图形可以直接写到感 光胶上而无需使用掩模版。 与其他光刻技术相比，电子 束光刻的优点非常明显：首 先，电子束光刻分辨率高， 可达0．1 m，如直接进行刻 蚀可达到几个纳米。用电子 图1 束加工制作出1～2nm的单电子器件已见诸报导。其次，电子束光刻不需要掩摸版， 非常灵活，很适合小批量、特殊器件的生产。离子束光刻原理图如图2所示 图2 目前，电子束光刻主要用于制作光学光刻的掩模。其发展方向是可能提高曝 光速度，以适应大批量生产，如采用变形电子束、高灵敏度的电子抗蚀剂、高发 射度的阴极等尽管电子束光刻机较光学光刻机昂贵，但它的突出优点仍吸引着许 多厂商。JEOL JBX一6300FS电子束光刻系统就是比较典型的矢量扫描曝光方式的 电子束光刻系统，该系统最细束斑可达2 nm，极限曝光线条为6～8 nm。NEC公司 已准备投资2O亿美元，建立用电子束加工的0．2p．m 生产线 二．电子束光刻技术目前存在的问题 电子束光刻系统虽然具有很高的电子扫描成像精度，由于它的束斑尺寸达 纳米尺度，是实验室条件下进行微纳米光刻技术研究与开发的理想工具。电子束 曝光系统从扫描方式上基本可以分成三个类型：圆形束光栅扫描电子束曝光系统、 可变矩形束电子束拼接曝光系统和高斯束矢量扫描曝光系统。目前国际上制造高 精度掩模主要采用电子束曝光系统和激光扫描图形发生器，通常采用曝光效率比 较高的光栅扫描电子束曝光系统和可变矩形束电子束曝光系统。在纳米加工中主 要采用矢量扫描曝光方式的电子束光刻系统，直接在硅片上扫描写出图形，但是， 要应用于纳米尺度微小结构的加工和集成电路的光刻工艺，仍然不是那么容易， 必须解决以下几个关键的技术问题：第一，电子在抗蚀剂和基片中的散射和背散 射现象造成的邻近效应问题，提出包括如何缓解电子散射效应影响的措施、几何 修正技术和剂量调制校正技术等；第二，电子束高精度扫描成像曝光效率很