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2017-08-27 发布于广东
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FM25L256B 256Kb FRAM Serial 3V Memory Features Write Protection Scheme 256K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM • Hardware Protection • Organized as 32,768 x 8 bits • Software Protection • Unlimited Read/Write Cycles • 45 Year Data Retention Low Power Consumption • NoDelay™ Writes • Low Voltage Operation 2.7V – 3.6V • Advanced High-Reliability Ferroelectric Process Industry Standard Configurations Very Fast Serial Peripheral Interface - SPI • Industrial Temperature -40°C to +85°C • Up to 20 MHz Frequency • 8-pin SOIC and 8-pin TDFN Packages • Direct Hardware Replacement for EEPROM • “Green”/RoHS Packaging D • SPI Mode 0 3 (CPOL, CPHA=0,0 1,1) E D Description Pin Configuration S The FM25L256B is a 256-kilobit nonvolatile N memory employing an advanced ferroelectric CS 1 8 VDD N process. A ferroelectric random access memory or E 2 7 SO HOLD FRAM is nonvolatile and performs reads and writes WP 3 6 SCK like a RAM. It provides reliable data retention for 45 M G I years while eliminating the complexities, overhead, VSS 4